Memristor aus Siliziumoxid-Nanodrähten

Forscher von der texanischen Rice University stellen den Prototypen eines ReRAM-Speicherchips aus simplem Siliziummaterial vor.

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Konkurrenz für HP: Seit die Forschungsabteilung des Computerkonzerns das seit fast 40 Jahren erwartete Memristor-Bauelement vorgestellt hat, beeilen sich auch viele andere Entwickler, die theoretisch für nichtflüchtige ReRAM-Speicherchips besonders gut geeignete Technik zur Serienreife zu bringen. Die Forschergruppe von James M. Tour an der texanischen Rice University hat nun fast zufällig festgestellt, dass 5 bis 10 Nanometer dünne Strukturen aus Siliziumoxid Memristor-Verhalten zeigen. Während HP beim Memristor auf Titandioxid-Schichten setzt, bewerten die Rice-Forscher Siliziumoxid als großen Vorteil: Das Material lässt sich in der herkömmlichen CMOS-Fertigungstechnik problemlos realisieren.

Die Memristor-Funktion des Siliziumoxids hatte Jun Yao entdeckt, als er die Funktionsweise der im vergangenen Jahr von seiner Arbeitsgruppe vorgestellten Speicherzellen mit dünnen Graphitleitern untersuchte (2008 hatten die Forscher noch auf Graphen gesetzt): Dabei stellte Yao fest, dass das Graphit eigentlich überflüssig war. Um seine Entdeckung zu untermauern, hat die Arbeitsgruppe in Kooperation mit der Firma PrivaTran einen Testchip mit 1000 Siliziumoxid-Memristoren gefertigt.

Die neuen Erkenntnisse der Rice-Forscher sind zwar vielversprechend, doch die Geschichte dieser Entdeckung scheint zu bestätigen, was Stan Williams von HP kürzlich behauptete: Seiner Ansicht nach haben viele der Gruppen, die weltweit an ReRAM forschen, die den beobachteten Effekten zugrunde liegende Physik nicht vollständig verstanden. Die Kurzdarstellung der Rice University klingt tatsächlich so, als hätten die Forscher erst bei der näheren Beschäftigung mit der vermeintlichen Graphit-Speicherzelle bemerkt, dass sie nicht wegen des Graphits funktioniert. (ciw)