Freescale startet die MRAM-Massenfertigung

Nach einer zweijährigen Bemusterungsphase beginnt Freescale nun mit der Großserienfertigung eines 4-MBit-MRAM-Chips.

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Nach jahrelanger Forschung und Entwicklung und einer langen Bemusterungsphase soll bei Freescale nun die Serienfertigung des 4-MBit-MRAMs MR2A16A anlaufen. Dieser schnelle nichtflüchtige Speicherchip ist im Vergleich zu (flüchtigen, schnellen) SDR- oder DDR-SDRAMs und (nichtflüchtigen, langsamen) NAND- oder NOR-Flash-Chips mit etwa 25 US-Dollar sehr teuer, was seinen Einsatzbereich stark einschränkt. Allerdings soll MRAM im Vergleich zu Flash den Vorteil bieten, nicht zu altern, sich also beliebig oft löschen und beschreiben lassen. Und potenziell soll sich MRAM eines Tages billiger fertigen lassen als typisches 6T-SRAM mit sechs Transistoren pro Speicherzelle: Während die kleinsten 6T-SRAMs in der 2007/2008 erwarteten 45-Nanometer-Technik 0,24 Quadratmikrometer Siliziumfläche belegen, will Freescale schon mit 90-Nanometer-Fertigungstechnik eine 1T-1MTJ-Zelle auf nur 0,29 Quadratmikrometern unterbringen können.

Das 4-MBit-MRAM MR2A16A fertigt Freescale indes noch in 0,18-Mikrometer-Technik; den 0,13-Mikrometer-Schritt will Freescale überspringen und gleich auf 90 nm "shrinken".

Angeblich plant Freescale nicht, mit Standard-Speicherchips des SDRAM- oder Flash-Typs zu konkurrieren; vielmehr sollen sich die MRAMs eher für den Ersatz von batteriegepufferten (Low-Power-)SRAMs oder NOR-Flashes in Embedded-Anwendungen eignen.

Vor etwa eineinhalb Jahren hatte Cypress wegen der bisher sehr eingeschränkten Einsatzbereiche von MRAM sein Engagement auf diesem Gebiet beendet. Andere Firmen wittern gerade in Nischen ihre Chance; Micromem etwa erwähnt den MRAM-Einsatz unter starker ionisierender Strahlung (Weltraum, Luftfahrt, Waffensysteme) oder in Sensoren, auch RFID-Tags könnten von den robusten MRAM-Chips profitieren.

IBM und Infineon hatten bereits im letzten Jahr ein 16-MBit-MRAM in 180-Nanometer-Technik vorgestellt (und beschreiben es hier genauer); das japanische Team Renesas/Toshiba wollte ursprünglich bereits 2005 ein 256-MBit-MRAM zeigen. Zwischenzeitlich hat Renesas die Spezialfirma Grandis mit ins Boot geholt: Die Kalifornier entwickeln Spin-Torque-Transfer- (SST-)RAM, also eine besondere MRAM-Variante. Renesas will Mikrocontroller und Systems-on-Chip mit eingebettetem 65-Nanometer-SST-RAM ausstatten. Auf Embedded- (e-)MRAM zielt auch die Firma Spintron aus Marseille. (ciw)