zurück zum Artikel

Als nach eigenen Angaben weltweit erster Hersteller fertigt Samsung Flash-Speicherchips mit Strukturgrößen der "30-Nanometer-Klasse", bei denen jede Zelle 3 Bits fasst.

Der NAND-Flash-Speicherchip-Marktführer Samsung kündigt das Anlaufen der Massenfertigung von zwei neuen Bauelementtypen der "30-Nanometer-Klasse" an, nämlich von solchen mit 3-Bit-Multi-Level-Zellen sowie von solchen mit einem Double-Data-Rate-(DDR-)Interface, das bis zu 133 Millionen Datentransfers pro Sekunde (MT/s) erreicht.

Auf die genauen Eigenschaften des Fertigungsprozesses geht Samsung nicht näher ein, während der Konkurrent Toshiba von 32-nm-Fertigung [1] spricht und Intel/Micron von 34 nm [2]. Auch SanDisk/Toshiba fertigen seit 2008 [3] Multi-Level-Cell-(MLC-)x3-NAND-Flashes, aber mit 56-nm-Strukturen; bei Intel/Micron soll die Serienproduktion von MLC-x3-Chips mit 34-nm-Strukturen in diesem Quartal [4] anlaufen. Nun behauptet aber Samsung, der erste Hersteller zu sein, der diese Eigenschaften in der Großserie kombinieren kann.

MLC-x3-Chips sind bei gleicher Kapazität vor allem billiger als die üblichen MLC-x2-Bauelemente, die zwei Bits pro Zelle speichern. Das Auslesen und Programmieren von MLCs dauert allerdings länger als bei den teureren und gegen Wiederbeschreiben unempfindlicheren Single Level Cells (SLCs).

Beim asynchronen DDR-Interface für NAND-Flashes scheint Samsung eigenen Spezifikationen zu folgen; ein 66-MHz-DDR-Interface (133 MT/s) hatten Intel/Micron bereits Anfang 2008 [5] mit ONFI 2.0 beschrieben – ONFI 2.1/2.2 spezifiziert auch (synchrone) DDR-Datentransfermodi, die bei einem Byte-breiten Bus (8 Bit) 166 oder 200 MByte/s übertragen. Als potenzielle Einsatzbereiche für DDR-NAND-Flashes nennt Samsung erwartungsgemäß Solid-State Disks (SSD [6]s), aber auch schnelle Speicherkarten und Kombichips wie MoviNAND [7]. (ciw [8])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-873807

Links in diesem Artikel:
[1] https://www.heise.de/news/Toshiba-fertigt-32-Gigabit-NAND-Flashes-mit-32-Nanometer-Strukturen-216385.html
[2] https://www.heise.de/news/IM-Flash-32-GBit-Speicherchip-mit-34-nm-Strukturen-211055.html
[3] https://www.heise.de/news/ISSCC-SanDisk-baut-NAND-Flash-Chips-mit-3-Bit-Zellen-176809.html
[4] https://www.heise.de/news/32-GBit-Flash-Chip-mit-3-Bit-pro-Zelle-750773.html
[5] https://www.heise.de/news/ISSCC-DDR-NAND-Flash-Speicher-liefert-Daten-mit-200-MByte-s-184513.html
[6] http://www.heise.de/glossar/entry/Solid-State-Disk-397969.html
[7] https://www.heise.de/news/Kombi-Chip-speichert-8-GByte-155482.html
[8] mailto:ciw@ct.de

Copyright © 2009 Heise Medien