Intel spezifiziert schnelleres DDR-SDRAM
Bisher liefert Intel nicht einmal einen eigenen DDR-SDRAM-tauglichen Chipsatz. Doch für die Zukunft rüstet sich der Chipgigant mit einer Spezifikation für die schnellen Speicherchips.
Bisher liefert Intel nicht einmal einen eigenen DDR-SDRAM-tauglichen Chipsatz; doch für die Zukunft rüstet sich der Chipgigant schon mit einer Spezifikation für die schnellen Speicherchips. Das "Intel(R) DDR 266 JEDEC Specification Addendum Rev 0.9" [1] fasst nicht nur die JEDEC-Norm JESD79R1 [2] vom Juni 2000 in einigen Details enger, sondern legt überdies eine Vorschrift für DDR266-SDRAMs fest. Die JEDEC hatte nur die Double-Data-Rate-SDRAM-Klassen DDR200, DDR266B und DDR266A beschrieben. Diesen drei Typen sind zwei Zeitparameter gemeinsam: Das RAS-to-CAS-Delay tRCD und die RAS Precharge Time tRP dürfen jeweils 20 ns dauern.
Bei DDR266A- und DDR266B-Chips, aus denen die mit 133 MHz laufenden PC2100-DIMMs aufgebaut sind, führt dies zu Wartezeiten von je 3 Taktzyklen für die beiden Parameter. Nach JESD79R1 sind deshalb nur DIMMs mit den Zugrifsparamtern PC2100-2533 (aus DDR266B-Chips mit einer CAS Latency von 2,5) und PC2100-2033 (aus DDR266A-Chips mit CL 2) vorgesehen. Die neue Intel-Spezifikation beschreibt DDR266-Bausteine mit CL2 und tRCD sowie tRP von nur 15 ns, also 2 Takten zu je 7,5 ns. PC2100-2022-DIMMs dürften noch etwas zügiger arbeiten als die bisher schnellsten lieferbaren PC2100-2033-Module. (ciw [3])
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[1] http://developer.intel.com/technology/memory/pcsdram/spec/ddr266_spec_rev_09.htm
[2] http://www.jedec.org/download/search/JESD79R1.pdf
[3] mailto:ciw@ct.de
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