Klotzen statt kleckern: TI baut Fabs für bis zu 41 Milliarden US-Dollar
Texas Instruments genehmigt sich ein weiteres Halbleiterwerk für 11 Milliarden US-Dollar. Somit entstehen zeitnah drei TI-Fabs, zwei weitere sind optional.
Texas Instruments' Halbleiterwerk in Utah. Im blau markierten Bereich soll der Neubau entstehen.
(Bild: Texas Instruments)
Der US-Hersteller Texas Instruments (TI) wedelt mit den Scheinen: Bis zu 41 Milliarden US-Dollar lässt sich die Firma neue Produktionsstätten für Halbleiterbauelemente kosten – natürlich abzüglich staatlicher Subventionen, unter anderem im Rahmen des US Chips Act.
In den sogenannten Fabs stellt TI Leistungshalbleiter und Embedded-Prozessoren her, vornehmlich für Autos. Dazu gehören etwa Stromwandler, Power-Management-Schaltungen (PMICs) oder digitale Signalprozessoren (DSPs).
Die jüngste Ankündigung umfasst ein 11 Milliarden US-Dollar teures Halbleiterwerk im US-amerikanischen Lehi, Utah. Die Produktionsstätte entsteht direkt neben einem Werk, das TI im Sommer 2021 von Micron übernommen hat. Ursprünglich gehörte es dem Joint-Venture Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) und produzierte Phasenspeicher vom Typ 3D Xpoint, den Intel bei den eigenen Optane-SSD und -Riegeln verwendet hat.
Zwillings-Fabs
Der Bau soll noch im zweiten Halbjahr 2023 beginnen. Ab 2026 sollen beide Fabs im Tandem Halbleiterbauelemente mit Strukturbreiten von 65 und 45 Nanometern auf 300 mm großen Silizium-Wafern herstellen – das reicht für viele Automotive-Bauteile völlig aus. TI versteht dann beide Werke als Teil eines gemeinsamen Fab-Komplexes.
Der Utah-Gouverneur Spencer J. Cox schreibt, dass es sich um die größte wirtschaftliche Investition der Geschichte Utahs handelt. Das lässt sich der Staat auch etwas kosten: Über 20 Jahre hinweg spart TI 30 Prozent der in Utah anfallenden Steuern, wenn vertraglich festgelegte Kriterien erfüllt werden. Dazu dürfte die Anzahl der Beschäftigten zählen – 800 neue Jobs sollen direkt im Werk entstehen, Tausende weitere unter anderem bei Zulieferern und in der Logistik.
Weitere Förderungen dürften von der US-Regierung aus dem US-Chips-Act-Topf kommen, werden aber nicht offengelegt.
In Sherman, Texas, baut TI derzeit zwei weitere Halbleiterwerke; noch einmal zwei weitere folgen später bei Bedarf. Die Gesamtinvestitionen zusammen mit der Utah-Fab belaufen sich dann auf 41 Milliarden US-Dollar. Unterm Strich hätte TI somit sechs bis acht Halbleiterwerke: DMOS6 (Dallas), RFAB1 und RFAB2 (Richardson, Texas), LFAB (Lehi, Utah; zählt TI als einzelnes Werk) und die zwei bis vier in Sherman. Die frühere Zögerlichkeit beim Kapazitätsausbau scheint damit abgelegt zu sein.
(mma)