Toshiba und SanDisk entwickeln 4-Gigabit-Flash auf einem Die

Computer- und Chiphersteller Toshiba und Speichermedienexperte SanDisk entwickeln gemeinsam einen 4-GBit-NAND-Flash-Speicher in 90-Nanometer-Technik, teilten die Unternehmen am heutigen Mittwoch mit. Das käme einer Verdopplung der Speicherkapazität aktuell erhältlicher Flash-Speicher gleich, die noch in 130-Nanometer-Technik produziert werden. Um so hohe Speicherkapazitäten zu erzielen, war es bislang noch notwendig, mehrere 1-GBit-Dice in einem Gehäuse zusammenzuschalten. Im Labor hätte sich die Neuentwicklung bereits als schnell und zuverlässig erwiesen, hieß es bei den Partnern. Die Chips werden künftig im Werk von Toshibas und SanDisks Jointventure FlashVision Japan produziert und sollen Anfang 2004 auf dem Markt erhältlich sein.

Das neue Verfahren erlaube die Herstellung von Single- (SLC) und Multi-Level-Cells (MLC). In der MLC-Struktur trägt jede Speicherzelle 2 Bit Information. Dank höherer Speicherdichte und damit verbundener Kapazitätserhöhung hoffen Toshiba und SanDisk, ihre Marktposition bei Flash-Speichern zu stärken. (ola)