MRAM-Bausteine am Start

Zwei erste Bausteine in der heiß diskutierten und bereits als DRAM-Nachfolge gehandelten MRAM-Technik (Magnetoresistive Random Access Memory) stellt Halbleiter-Hersteller Cypress vor -- wenn auch zunächst nur als Datenblatt.

Die Speicherbausteine CY9C6264 und CY9C62256 sind als direkter Ersatz für schnelle Bytewide-SRAMs mit 8 und 32 KByte gedacht, die allerdings zum Datenerhalt eine batteriegestützte und nicht immer unproblematische "Notstromversorgung" benötigen. Im Unterschied zu EEPROM- und Flash-Speichern lassen sie sich genau so schnell beschreiben wie lesen (70 ns Zugriffszeit) und vertragen über 10 hoch 15 Schreibzyklen (Flash/EEPROM: 1000...1000.000 Zyklen), der Datenerhalt soll auf mindestens zehn Jahre garantiert sein.

Der Speicher, eine Entwicklung von NVE, nutzt Effekte der Wechselwirkung des Elektronenspins mit einer magnetischen Nanostruktur: MRAM-Zellen speichern ihren logischen Zustand nicht durch eine elektrische Ladung, sondern durch die Ausrichtung der Elektronen-"Umlaufbahn", die wiederum Tunneleffekte in der Nanostruktur auslöst (deshalb "magnetoresistiv"). Die Machbarkeit eines magnetoresistiven Speichers in 180-nm-Technik hatte Motorola bereits im Herbst letzten Jahres demonstriert. (cm)