Neuer Speichertyp vereint DRAM- und Flash-Funktionen
Forscher der Uni North Carolina präsentieren eine Mischform aus flüchtiger DRAM- und nichtflüchtiger Flash-Speicherzelle.
Forscher um Professor Paul D. Franzon von der Uni North Carolina (NCSU) haben einen Feldeffekttransistor (FET) mit zwei "Floating Gates" entwickelt. Das Bauelement soll in Speicherchips zum Einsatz kommen und darin die flüchtige, aber schnelle DRAM-Speicherfunktion mit der Möglichkeit kombinieren, das abgelegte Datum in derselben Zelle auch nichtflüchtig zu speichern – also wie bei Flash-Speicher. Einen Computer-Hauptspeicher aus den neuartigen Transistoren könnte man von der Stromversorgung trennen, ohne dass er Informationen verliert; diese Möglichkeit wiederum ließe sich dazu nutzen, um im laufenden Betrieb Energie zu sparen – etwa bei Servern – oder um PCs schneller zu booten.
Fertige Produkte mit den neuartigen Transistoren scheinen noch Jahre in der Zukunft zu liegen. Das Forscherteam "denkt" aber immerhin, dass der flüchtige Speicherteil eine sehr hohe Lebensdauer erreichen könne. (ciw)
