Schnelle Schnittstelle für Flash-Speicher

Toshiba und Samsung wollen zusammen die Schnittstelle ToggleDDR für NAND-Speicherchips weiterentwickeln. Sie peilen eine Übertragungsrate von 400 MBit/s für die Version 2.0 von ToggleDDR an. Damit überspringen die Partner die ursprünglich für die zweite Generation geplanten 200 MBit/s.

Allerdings nennt die Samsung-Webseite noch immer 200 MBit/s für ToggleDDR 2.0 und prognostiziert die 400-MBit/s-Marke für die dritte Generation. Welcher der Termine aus der bisherigen Roadmap nun gilt, verraten Toshiba und Samsung noch nicht. Eigentlich sollte die zweite Generation der Spezifikation noch 2010 fertig werden, der Sprung auf 400 MBit/s aber erst 2011 erfolgen.

Samsung hat bereits angekündigt Chips mit ToggleDDR-1.0-Schnittstelle in den neuen 512-GByte-SSDs einsetzen zu wollen. Zum Vergleich: Die Schnittstelle SDR-NAND erreicht nur 40 MBit/s. Aus der Geschwindigkeit der Schnittstelle lässt sich aber nur bedingt auf die Performance einer SSD schließen. Einerseits ist nicht gesagt, dass die einzelnen Chips die Daten auch so schnell anliefern können und andererseits bündeln die Controller-Chips mitunter mehrere Kanäle. (bbe)