Speicherchiphersteller investieren in neue Flash-Fabriken
SanDisk und Toshiba beginnen mit dem Bau einer fünften Fab im japanischen Yokkaichi, und Intel und Micron schmieden angeblich wieder Pläne für eine neue Fertigungslinie in Singapur.
Toshiba und SanDisk begegnen der weiter rasant steigenden Nachfrage nach NAND-Flash-Speicherchips mit dem Bau einer neuer Produktionsstätte im japanischen Yokkaichi. In der neuen "Fab 5", die im Frühjahr 2011 fertiggestellt sein soll, wollen die Joint-Venture-Partner NAND-Flash-Speicherchips der 20-Nanometer-Klasse und folgender Generationen produzieren.
Die neue erdbebensichere Fab ist mit einer Fläche von 38.000 m² ähnlich gestaltet wie die aktuelle Fab 4. In letzterer soll bislang nicht genutzter Raum so ausgerüstet werden, dass dort die Produktion bis zur Eröffnung der neuen Produktionsstätte auf hundert Prozent hochgefahren werden kann. Wie viel das Vorhaben kostet, wurde nicht bekannt. Spekulationen über die Investition von 9 Milliarden US-Dollar in eine neue NAND-Flash-Fab hatte Toshiba Anfang des Jahres noch zurückgewiesen.
Derweil schießen die Spekulationen ins Kraut, dass auch Intel und Micron, die im Gemeinschaftsunternehmen IM Flash Technologies NAND-Flash-Speicherchips produzieren, wieder über den Bau einer neuen NAND-Flash-Fab nachdenken. Dabei könnte es sich um eine schon länger geplante vierte Fab in Singapur handeln, deren Bau aufgrund der Wirtschaftskrise zuletzt auf Eis gelegt wurde. Mit Samsung hat ein weiteres Schwergewicht der Branche bereits Anfang des Jahres mit dem Bau einer weiteren Fertigungslinie im koreanischen Hwaesong begonnen, die ebenfalls Anfang 2011 ihren Betrieb aufnehmen soll. (boi)
