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  • sciing

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Re: CPP, Mx pitch, SRAM, Fläche für einfach Flops...

Christof Windeck schrieb am 13.09.2017 13:04:

Wieso meckern Sie hier unnötig und unhöflich herum, statt einfach mal auf den Link zu klicken?
Da finden Sie dann nämlich wiederum einen Link auf einen längeren Text, der die Fertigungsverfahren verschiedener Chip-Fabs vergleicht.

Ich kenne die Werte und die Grafik, nur wo sind sie für 11nm, was macht 11 billiger als 10? Wo ist man relaxter? Stattdessen ein sich in jeder News zum Thema wiederholender Allgemeinplatz, "das ist nicht vergleichbar". Ja, ich würde es gerne vergleichen, und die genannten Parameter wären schon mal hilfreich.
Das 80nm pitch Lithografie-Limit in der Grafik gilt nur für Linien. Komplexeres, braucht entweder mehr Masken oder größere Pitches. Kleinere Pitches brauchen auch mehr Masken, double oder quad pattering.
D.h. durch die Limitierung auf i193nm kostet jedes nm weniger pitch massiven Aufwand.

Einen sinnvollen Vergleich zukünftiger, also derzeit bloß angekündigter Verfahren kann es derzeit übrigens auch nicht geben.

Das ist einfach falsch, die Foundries verschicken sogar schon am Anfang elektrische Transistordaten, (basierend auf Simulation und reinen Annahmen). Die von mir genannten geometrischen Daten definieren eine Technologie, die stehen von Anfang an fest!
Da müsste man mal aggressiv nachfragen, statt sich mit der nichtsagenden Pressemtteilung abspeisen zu lassen. Wenn sowas nur an potentielle Kunden rausgegeben wird o.k., aber dann schreibt man es so.
Ich habe aber einfach das Gefühl, das man sich einfach mit der Marketingnummer zufrieden gibt, aber gleichzeitig beklagt, dass es eine Marketingnummer ist.
Letztens hat Intel einen Ansatz für ein Flächenanalyse veröffentlicht und so getan als hätte man da was ganz neues, dabei ist es ein Industriestandard.

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