1-GBit-Agreement von Infineon und IBM (update)

In einem Interview mit c't gab Wilhelm Beinvogl, Vizepräsident der Technology & Innovation der Infineon Speicher-Division, einen Ausblick auf die nächste 1-GBit-Speichergeneration, die weiterhin gemeinsam mit IBM entwickelt werden soll. Demnach haben sich IBM und Infineon in einem kürzlich abgeschlossenen Agreement geeinigt, ihre nunmehr zehnjährige Partnerschaft zunächst bis 2002 fortzusetzen und neue Technologien für die 1-GBit-Speicher zu entwickeln. Toshiba hingegen scheidet aus der DRAM Development Alliance (DDA) aus und geht eigene Wege.

Infineon hatte bereits im Frühjahr auf der ISSCC 1-GBit-Muster auf Basis bestehender Technologien vorgestellt (Codename Zeus), die aber mit einer Chipgröße von 390 mm² für eine Massenherstellung viel zu groß waren. Nun will man gemeinsam mit IBM die Strukturen auf 135 und 110 nm verkleinern und neue, so genannte vertikale Transistorzellen (VTC) einsetzen, die erheblich weniger Platz beanspruchen, als bisherige planare Zellen (PTC). Diese Transistoren sitzen direkt an ins Silizium "hineingegrabenen" Speicherkondensatoren. An diesen bewährten, so genannten Trench-Kondensatoren wollen IBM und Infineon festhalten, wohingegen die Konkurrenz wie Samsung, Hyundai und wahrscheinlich auch Toshiba auf schichtweise aufzutragende Stack-Kondensatoren setzt - ein laut Beinvogl riskantes Unterfangen.

Erste Speichermuster mit den neuen VT-Zellen mit 1 MBit Kapazität laufen laut Beinvogl bereits erfolgreich im Laborversuch. Die zugrundeliegende Technik hatten Infineon und IBM am Anfang dieser Woche auf dem Internationalen Electronic Device Meeting (IEDM) vorgestellt.

Zunächst sind Stand-alone-DRAMs geplant und zwar für DDR-SDRAMs (gegebenenfalls auch DDR-2). Mit angezielten 500 MBit/s und Pin wird ein derartiges Speichersystem eine Bandbreite von 4 GByte/s haben und damit erheblich schneller sein als ein heutiges Rambus-System (1.6 GByte/sec).

Später sind dann auch Embedded DRAMs mit VTC geplant. Beim Rambus scheiden sich allerdings die IBM- und Infineon-Geister. Obwohl die eigentlichen Speicherzellen bei SDRAM und Rambus die gleichen sind, wollen die Partner ihre Rambus-Entwicklung jeder für sich alleine fortsetzen. (as)