DDR3-Chips der "30-nm-Klasse"
Samsung hat mit der Produktion von 2-GBit-Chips mit einer Strukturgröße "zwischen 30 und 39 Nanometer" begonnen. 4-GBit-Chips sollen bald folgen.
Wie bereits Anfang des Jahres angekündigt [1], hat der Chiphersteller Samsung nun mit der Massenproduktion von DDR3-Speicherchips der "30-nm-Klasse" begonnen. Welche Strukturgrößen sich hinter dieser schwammigen Angabe verbergen, verrät das koreanische Unternehmen nicht genau, sondern nennt nur den Bereich: "Zwischen 30 und 39 Nanometer".
Die einzelnen Chips fassen 2 GBit und sollen bei maximal 1,5 Volt bis zu 2,133 GBit/s liefern. Laut Samsung sind das 60 Prozent Performance-Zuwachs gegenüber DDR3-Chips der "50-nm-Klasse". Im Servereinsatz sollen die neuen Chips bei 1,35 Volt immer noch 1,866 GBit/s transferieren und dabei bis zu 20 Prozent sparsamer arbeiten als die 50-nm-Vorgänger.
Bis zum Jahresende will Samsung auch die Produktion von 4-GBit-Chips aufnehmen. Aus den neuen Chips sollen demnächst Speicherriegel mit 4, 8, 16 und 32 GByte für Server (RDIMM) sowie 2, 4 und 8 GByte für Desktop-PCs (UDIMM) und Notebooks (SODIMM) entstehen. (bbe [2])
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