Durchbruch bei Herstellung von Nanotube-Transistoren

IBM-Wissenschaftler haben einen Prozess entwickelt, um mit so genannten Carbon-Nanotubes Feldeffekttransistoren von der Größe von nur rund 10 Atomen herzustellen – gut 500-mal kleiner als bisherige Transistoren. In der neuesten Ausgabe von Science (Vpl 292, Ussue 5517) vom 27. April 2001 berichten Wissenschaftler aus dem IBM Watson Research Laboratoy in Yorktown von ihren Erfolgen mit einem Verfahren, das sie "konstruktive Destruktion" getauft haben.

Nanotubes sind langgezogene Röhrchen von nur rund einem Nanometer Durchmesser, die aus zahlreichen miteinander verknüpften Ringen von jeweils sechs Kohlenstoff-Atomen bestehen. Je nach interner Struktur können sie leitend "metallisch" oder halbleitend sein. Das man mit den halbleitenden Röhrchen kleinste Schalter realisieren kann, hatten Wissenschaftler der Harvard University schon vor rund einem Jahr bewiesen (siehe auch "Rechnen mit Nanostäbchen", c´t 15/00, S. 40).

Die IBM-Wissenschafter können mit ihrer konstruktiven Destruktion nun ganze Arrays solcher Schalter auf der Oberfläche eines oxidierten Silizium-Wafers herstellen, indem sie von den bei der Herstellung gemeinsam entstehenden metallischen und halbleitenden Nanotubes gezielt die metallischen zerstören. Mit diesem Verfahren könnte der Grundstein für eine völlig neue, auf Kohlenstoff beruhende Halbleitertechnologie gelegt sein, mit der sich in einigen Jahren Speicher in Terabit-Regionen und sehr schnelle Prozessoren realisieren lassen. (as)