IBM: Kohlenstoff-Nanotransistoren so leistungsfähig wie Silizium

IBM-Wissenschaftler haben Feldeffekttransistoren aus Kohlenstoff-Nanoröhrchen konstruiert, deren elektrische Kenndaten mit aktuellen Transistoren auf Silizium-Basis vergleichbar sind. Phaedon Avouris und seine Kollegen beschreiben ihre Arbeit in der Fachzeitschrift Applied Physics Letters vom 20. Mai. (Vertical Scaling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Using Top Gate Electrodes, Shalom Wind, Joerg Appenzeller, Richard Martel, Vincent Derycke and Phaedon Avouris, Applied Physics Letters, Volume 80, Issue 20, pp. 3817-3819).

Die Wissenschaftler untersuchten die elektrischen Kenndaten von Nano-Transistoren, die im Prinzip so aufgebaut sind wie Silizium-FETs: Das Kohlenstoff-Nanoröhrchen ist an den beiden Enden kontaktiert und mit einer etwa 15 Nanometer dünnen Schicht Siliziumdioxid von der oben liegenden Gate-Elektrode isoliert. Für einen p-Typ-Transistor mit 260 Nanometer Gate-Länge maßen die Forscher eine Schwellenspannung von -0,5 Volt und eine maximale Steilheit der Kennlinie von 3,25 Mikrosiemens pro Mikrometer. Bis solche "Kohlenstoff-Transistoren" allerdings kommerziell angewandt werden können, sind nach Auffassung der Wissenschaftler noch einige Jahre Forschungsarbeit notwendig. (wst)