IBM beschleunigt Halbleiter aus Silizium-Germanium auf 200 GHz
IBM erhöht die Transitfrequenz seiner Silizium-Germanium-Halbleiter auf 200 GHz. SiGe-Bausteine werden damit noch attraktiver für stromsparende Kleingeräte.
IBM hat die Transitfrequenz seiner Silizium-Germanium-Halbleiter (SiGe) der vierten Generation auf 200 GHz verdoppelt. Die "8HP"-Bausteine sollen besonders Strom sparend und günstig herzustellen sein. Sie eignen sich laut IBM daher beispielsweise für Handys und andere funkende Kleingeräte.
Bisher kamen dort vorzugsweise Halbleiter aus Gallium-Arsenid (GaAs) zum Einsatz. Das Material leitet Elektronen bis zu sechs Mal schneller als herkömmliches Silizium, benötigt aber spezielle Produktionsanlagen und ist dementsprechend teuer. Mit Germanium versetztes Silizium hat ähnliche Eigenschaften, erfordert aber nur leichte Änderungen an schon bestehenden Fertigungsstätten. Außerdem lassen sich die SiGe-Bausteine deutlich Strom sparender konstruieren und konventionelle Silizium-Chips gut integrieren.
Marktanalysen sehen denn auch die SiGe-Technik gegenüber GaAs im Vorteil. Nach dem vermehrtem Einsatz in TV-Tunern, Satelliten- und Kabel-Set-Top-Boxen sowie Mobiltelefon-Transceivern erobert SiGe jetzt auch den Markt für Leistungsverstärkermodule (Power Amplifier) für Handys. Hier wurden laut den Marktforschern von iSupply vergangenes Jahr rund 1,7 Milliarden US-Dollar umgesetzt. GaAs bleibt nur bei leistungshungrigeren Mikrowellen-Anwendungen wie Satellitenkommunikation oder Radar wohl noch eine Weile erste Wahl. IBM hält aber die neuen SiGe-Chips auch für kurzreichweitige Radar-Abstandsmesser in Autos gut geeignet. (mhe)
