Intel-Fab fertigt Chip-Muster auf 300-mm-Wafern
Intels "Wafer Development Fab" D1C hat erste Chips im 0,13-µm-Prozess auf 300-mm-Wafern erfolgreich hergestellt. Serienprodukte soll es erst im kommenden Jahr geben.
Intels "Wafer Development Fab" D1C in Hillsboro, Oregon, hat erste Chips im 0,13-µm-Prozess auf 300-mm-Wafern erfolgreich hergestellt. Serienprodukte in der neuen Technik soll es erst ab Anfang kommenden Jahres geben, laut Intel zählen dazu Nachfolgeversionen des Pentium-4-Prozessors oder Netzwerk-Chips.
Die Kombination aus 300-mm-Wafern und Strukturgrößen von 130 Nanometern ermöglicht laut Intel im Vergleich zur heutigen Fertigung von 180-Nanometer-Strukturen auf 200-mm-Wafern eine Vervierfachung des Chip-Outputs. Die größeren Wafer bieten etwa das 2,25-fache der Fläche eines 200-mm-Wafers. Weil weniger Verschnitt anfällt, passen sogar etwa 2,4-mal so viele Chips auf einen 300-mm-Wafer als auf die kleineren Siliziumscheiben. Bezogen auf einen einzelnen Baustein soll die Herstellung auf 300-mm-Wafern etwa 30 Prozent billiger sein und etwa 40 Prozent weniger Energie und Wasser benötigen als die Fertigung auf 200-mm-Wafern.
Die 300-mm-Fabs erfordern einen noch höheren Grad an Automatisierung und Präzision als die bisherigen Fertigungsanlagen. Die pizzagroßen Scheiben sind weniger als einen Millimeter dick und daher extrem emfindlich. Das Einspannen für die diversen Fertigungsschritte ist aufwendig, um sowohl die Belastung der Wafer gering zu halten als auch eine für die Belichtung ausreichend plane Oberfläche zu erzielen. Das Gewicht der 300-mm-Wafer ist deutlich höher als das der 200-mm-Scheiben, weshalb zu ihrer Handhabung neu konstruierte Automaten nötig sind.
Die Investitionskosten in 300-mm-Fabs sind daher immens. Intel hat kürzlich die Fertigstellung einer 300-mm-Anlage im irischen Leixlip um Monate verzögert, um im laufenden Geschäftsjahr Kosten zu sparen. Die Fab D1C ist eigentlich eine Versuchsstation für neue Techniken, die spätere Serienfertigung findet in den anderen über die Welt verstreuten Intel-Fabs statt. Mit rund 12.500 Quadratmetern Reinraumfläche gehört die Fab D1C allerdings zu den größeren Chipwerken. Intels neuer 0,13-µm-Prozess bietet sechs Kupfer-Metalllagen, die Transistoren haben wegen eines besonderen Aufbaus nur eine Gatelänge von 70 Nanometern sowie eine Gate-Oxid-Schichtdicke von nur 1,5 nm. In diesem Prozess will Intel schon in diesem Jahr Mobilprozessoren sowie den Pentium-III-ähnlichen Tualatin fertigen, offenbar zunächst auf 200-mm-Wafern. (ciw)
