Mit Magnet-RAMs kein Booten mehr

Forscher der Universität Kaiserslautern wollen zusammen mit der Firma Siemens und einigen anderen deutschen Hochschulen einen Speicherchip hoher Packungsdichte auf Magnetbasis bauen. Solche Speicherzellen bestehen im Prinzip aus zwei magnetisierten Schichten, die durch eine nur wenige Atomlagen dicke Isolierschicht getrennt sind. Die Magnetfelder beider Schichten lassen sich gleich oder entgegengesetzt orientieren, was einer binären 0 oder 1 entspräche. Die isolierende Schicht ist so dünn, daß bei anliegender Spannung einige Ladungsträger hindurchfließen ("Tunnelstrom"). Zwischen der Orientierung der Magnetfelder relativ zueinander und der Stärke des Tunnelstroms besteht ein Zusammenhang, den man als Tunnel-Magnet-Widerstand (TMR, Tunneling Magneto Resistance) bezeichnet. Zum Auslesen solcher Bauteile mißt man den Tunnelstrom, wobei sich der Speicherzustand des TMR-Elements nicht verändert. Zum Beschreiben der Magnetschichten ändert man die Magnetisierungsrichtung in der Magnetschicht durch Anlegen einer höheren Spannung. Magnetische RAMs verlieren ihren Speicherinhalt nicht, wenn sie keinen Strom bekommen. Mit MRAMs ausgestattete Rechner müßten deshalb nicht mehr booten. (gas)