Mit gestrecktem Silizium zu schnelleren Chips

IBM hat nach eigenen Angaben eine Methode entwickelt, um Mikrochips ohne wesentliche Veränderungen in der industriellen Produktion wesentlich schneller zu machen. Mit einer Schicht aus "gestrecktem Silizium" haben die IBM-Forscher die Schaltgeschwindigkeit von Feldeffekt-Transistoren um etwa 35 Prozent erhöhen können. Details zu der neuen Technologie will IBM in zwei Aufsätzen veröffentlichen, die auf einem Symposium zur VLSI-Technologie am 13. Juni in Kyoto vorgestellt werden sollen. Die Technologie könnte nach Angaben von IBM bereits 2003 produktionsreif sein.

Nach den bisher veröffentlichten Informationen "bauten" die IBM-Forscher eine Silizium-Germanium-Schicht in einen Feldeffekt-Transistor unterhalb des Gatters ein. Zwischen dieser Silizium-Germanium-Schicht und dem Gate-Oxid befindet sich eine dünne Silizium-Schicht (im Bild als violette Schicht eingefärbt). Weil das Kristallgitter von Silizium-Germanium größere Gitterabstände als das von Silizium besitzt, wird diese Silizium-Schicht "gestreckt" – auch in dieser Schicht wird das Kristallgitter aufgeweitet. Weil die Ladungsträger in diesem aufgeweiteten Gitter weniger oft gestreut werden, ist ihre Beweglichkeit in dieser Schicht bis zu 70 Prozent größer als in "gewöhnlichem" Silizium. (wst)