Nichtflüchtiger Speicher: Weebit Nano stellt erste Chips mit Resistive RAM vor
(Bild: Connect world/Shutterstock.com)
Nachdem es still um den nichtflüchtigen Speicher mit In-Memory-Computing-Fähigkeiten geworden ist, präsentiert ReRAM-Entwickler Weebit Nano nun erste Chips.
ReRAM-Entwickler Weebit Nano Ltd. kann seine ersten Demo-Chips vorweisen. Die Foundry des israelischen Start-ups lieferte im Dezember die ersten Wafer mit SoCs (Systems-on-Chip), die sein Embedded ReRAM-Modul (Resistive Random-Access Memory) enthalten. ReRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, in den grundlegende Logikoperationen implementiert sind und der Rechenaufgaben ausführen kann.
ReRAM führt damit nicht nur Arbeits- und Massenspeicher, sondern auch Speicher und Prozessor zusammen und erlaubt damit ein In-Memory Computing jenseits der von-Neumann-Computerarchitektur. Die Bezeichnung Resistive verdankt der RAM seiner Arbeitsweise: Die Speicherzellen, die aus einem Transistor und einem Widerstand bestehen, speichern ihre Informationen durch Änderung des elektrischen Widerstandes einer schwach leitfähigen Substanz.
Compiler fürs In-Memory Computing
Das Embedded ReRAM-Modul [1] von Weebit Nano besteht aus einem 128-kByte-ReRAM-Array, der Steuerlogik, einem Decoder, den Input/Output-Kommunikationselementen und dem Error Correction Code (ECC). Eine analoge und digitale Smart-Schaltung soll zudem die technischen Parameter des Speicher [2]-Arrays verbessern, etwa die Geschwindigkeit, die Retention und die Ausdauer. In Arbeit ist außerdem ein ReRAM-Compiler.
Der Demo-SoC selbst umfasst neben dem ReRAM-Modul eine RISC-V-MCU (Microcontroller Unit), Systemschnittstellen, SRAM und Peripherie. Die nun fertiggestellten Chips sollen dem Testen, Charakterisieren und Evaluieren durch potenzielle Kunden dienen. Zudem werden sie für den Qualifizierungsprozess in der US-Fab von SkyWater Technology verwendet, die die Embedded ReRAM-Chips in Serie herstellen soll.
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