Rambus-Speicherchips mit hoher Kapazität und Taktfrequenz

Die koreanische Samsung Semiconductor kündigt die Serienproduktion eines 576-MBit-RDRAM für Betriebsfrequenzen von bis zu 600 MHz an. Damit rücken RDRAM-Speichermodule (RIMMs) in greifbare Nähe, die Chipsätze wie den geplanten SiSR659 die volle Leistung entlocken könnten. Intels bisherige Pentium-4-Chipsätze für RDRAM waren für maximal 533 MHz Speicher-Taktfrequenz (PC1066) und 256-MBit-Chips ausgelegt.

Leider sind auf der Samsung-Webseite bisher nur öffentliche Datenblätter zu den 576-MBit-RDRAMs mit bis zu 533 MHz Taktfrequenz zu finden. Diese sind als 32-Split-Bank- (32s-)Chips ausgelegt. Ob die neuen, in 0,11-Mikrometer-Technik hergestellten 576-Mbit-RDRAMs ebenfalls die 32s- oder die preiswertere 4d-Bank-Architektur nutzen, ist noch unklar. Samsung will aus den neuen Chips 16-, 32- und 64-Bit-RIMMs (also mit ein bis vier Kanälen) sowie SO-RIMMs und die sehr kompakten NexMod-Riegel bauen. Zu den Einsatzzwecken zählt Samsung neben PC-Chipsätzen auch schnelle Netzwerkgeräte und Supercomputer auf; zu Letzteren zählen die Cray X1 und der HP AlphaServer GS1280.

Die SiS-Chipsätze für RDRAM sind bisher noch nicht so richtig aufgetaucht: Das geplante Abit-Mainboard SI7 erschien zumindest in Deutschland nie und wird auch nur noch auf der Support-Seite des taiwanischen Abit-Servers erwähnt, der SiSR659 soll erst in den nächsten Monaten auf den Markt kommen. (ciw)