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Samsung beginnt 7-nm-Produktion in 5,6 Milliarden Euro teurer Fab

Mark Mantel
Samsung beginnt 7-nm-Produktion in 5,6 Milliarden Euro teurer Fab

Samsungs fertige Fab V1 im südkoreanischen Hwaseon neben der S3-Stätte.

(Bild: Samsung)

Samsungs Chipproduktionsstätte V1 im südkoreanischen Hwaseong ist zum Start für Fertigungsprozesse mit Strukturbreiten von bis zu 3 Nanometern ausgelegt.

Nach dem Baubeginn im Februar 2018 ist Samsungs Chipproduktionsstätte V1 in Hwaseong, Südkorea, fertiggestellt. Die Chipfertigung mit eigener 7- und 6-Nanometer-Technik, 7LPP und 6LPP (Low Power Plus) genannt, läuft dort zurzeit an. Verglichen mit Stand 2019 möchte Samsung die Produktion von Chips mit Strukturbreiten von 7 nm und feiner bis Ende 2020 verdreifachen.

Bis dahin wird die V1 genannte Fab umgerechnet 6 Milliarden US-Dollar beziehungsweise knapp 5,6 Milliarden Euro verschlungen haben, wie Samsung in seiner Pressemitteilung schreibt [1].

Die neue Produktionsanlage ist zunächst für Fertigungsprozesse bis 3 nm ausgelegt, also auch für 5 nm und 4 nm. In der V1-Fab kommen Belichtungsmaschinen mit extrem-ultraviolettem Spektrum (EUV) zum Einsatz – Prozesse mit rein klassischer Lithographie (14, 10 nm) laufen dort nicht. Solche Belichtungsmaschinen nehmen künftig mit hoher numerischer Apertur (High-NA-EUV) – also alles, was über 7 nm hinausgeht – mehr Platz ein als bisher, was Chipfertiger zum Bau neuer Anlagen zwingt.

Erste Systems-on-Chips (SoCs) mit 7-nm-Technik aus der V1-Fab sollen noch bis Ende März 2020 an Kunden verschickt werden. Zu Kunden zählt Samsung Semiconductor beispielsweise auch seine Smartphone-Schwestersparte, die ihre Exynos-Prozessoren im eigenen Haus einkauft.

Samsungs Investitionen in die Chipfertigung reißen derweil nicht ab: Im Frühling 2019 verabschiedete das Unternehmen einen Plan, der Ausgaben von 104 Milliarden Euro bis 2030 vorsieht [2]. TSMC, der weltweit größte Chipauftragsfertiger, baut laut dem Nachrichtendienst Taiwan News unterdessen eine 18,2 Milliarden Euro teure Fab in Taiwan [3], in der ab 2023 Chips mit 3-nm-Technik vom Band laufen sollen. Intel bemüht sich, bei neuen Fertigungsprozessen zum 2-Jahres-Rhythmus zurückzukehren [4].

(mma [5])


URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-4665814

Links in diesem Artikel:
[1] https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-begins-mass-production-at-new-euv-manufacturing-line
[2] https://www.heise.de/news/Samsung-steckt-104-Milliarden-Euro-in-Chip-Entwicklung-und-Fertigung-4406201.html
[3] https://www.taiwannews.com.tw/en/news/3805032
[4] https://www.heise.de/news/Intel-strebt-nach-dem-10-nm-Fiasko-zurueck-zum-2-Jahres-Rhythmus-4612138.html
[5] mailto:mma@heise.de