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So ganz genau möchte sich Samsung nicht auf die minimalen Strukturbreiten der ab sofort produzierten NAND-Flash-Speicherchips festlegen, aber sie sind wohl kleiner als bei Intel/Micron.

Der DRAM- und Flash-Speicherchip-Marktführer Samsung [1] hat nach eigenen Angaben die Serienfertigung von Multi-Level-Cell-(MLC-)NAND-Flashes mit minimalen Strukturbreiten der "20-Nanometer-Klasse" aufgenommen. Genauere Angaben zu den kleinsten herstellbaren Strukturen will das koreanische Unternehmen offenbar nicht machen, es hatte bereits bei der Fertigungstechnik des vergangenen Jahres von der "30-nm-Klasse [2]" gesprochen.

Weil Samsung aber von der "industrieweit ersten Produktion" von NAND-Flash-Chips der 20-nm-Klasse spricht, dürften die Strukturen wohl kleiner sein als bei den seit Februar von Intel und Micron produzierten 25-nm-Chips [3]. Diese haben allerdings eine höhere Kapazität: Während Samsung 32-Gigabit-(4-GByte-)Die [4]s produziert, stellt das Intel-Micron-Joint-Venture IM Flash Technologies bereits 64-GBit-Chips her. Samsung liefert bereits Muster von SD-Karten aus, in denen die 20-nm-Chips stecken; nach eigenen Angaben hatte Samsung im März 2009 mit der Produktion von 30-nm-Chips begonnen.

Genaue Angaben zur Packungsdichte beziehungsweise zur Größe des 20-nm-/32-GBit-Chips machte Samsung nicht. Intel/Micron nennen für die 25-nm-MLC-NAND-Flashes mit 64 GBit 167 Quadratmillimeter Fläche, kommen also auf 0,38 GBit beziehungsweise etwa 46 MByte pro Quadratmillimeter. (ciw [5])

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https://www.heise.de/-980891

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/products/flash/Products_NANDFlash.html
[2] https://www.heise.de/news/Grossserienfertigung-von-DDR-und-3-Bit-MLC-NAND-Flash-Speicherchips-bei-Samsung-873807.html
[3] https://www.heise.de/news/NAND-Flash-Speicherchips-aus-der-25-Nanometer-Fertigung-919631.html
[4] http://www.heise.de/glossar/entry/Die-398061.html
[5] mailto:ciw@ct.de

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