Samsung kündigte zweite Generation 3D-V-NAND-SSDs an

Ohne konkrete Produktnamen zu nennen und bevor überhaupt die erste Generation 3D-V-NAND-SSDs in den Einzelhandel gekommen ist, kündigt Samsung den Start der Massenproduktion für eine "zweite Generation" solcher SSDs an. Deren Flash-Chips sollen nun 32 statt 24 Funktionslagen und ein wenig mehr Speicherkapazität besitzen. In der Pressemitteilung erwähnt Samsung Exemplare mit 128 GByte bis 1 TByte, Daten übertragen sie weiterhin per SATA 6G. Versprechungen zur Geschwindigkeit vermeidet Samsung aber ebenso wie zu Verfügbarkeit oder Preisen. Geht es nach Samsung, sollen die SSDs nun auch den Weg in "High-End-PC-Systeme" finden, nachdem die ersten 3D-V-NAND-SSDs mit bis zu 960 GByte noch ausschließlich für den Rechenzentrumseinsatz gedacht waren – im Einzelhandel sind sie jedenfalls anscheinen nie aufgetaucht und Samsung hat anscheinend auch nie öffentlich SSD-Typen mit 3D-V-NAND-Chips benannt.

Statt auf planare Architektur (2D) setzen die NAND-Flash-Speicherhersteller in Zukunft auf dreidimensionale Strukturen, um höhere Speicherkapazitäten pro Chip zu erreichen. Das spart Siliziumfläche, sodass einzelne Zellen wieder größer ausfallen dürfen. Das kommt unter anderem der Robustheit zu Gute: Laut Samsung bieten die jetzt angekündigten 3D-V-NAND-SSDs im Vergleich zu 2D-NAND-SSDs die doppelte Endurance, sollen also doppelt so viele Schreibzyklen verkraften. Gleichzeitig benötigen damit bestückte SSDs angeblich 20 Prozent weniger Energie. Unabhängige Tests dieser Eigenschaften sind allerdings unbekannt.

Im Verlauf des Jahres planen die Koreaner dann zusätzlich eine "Premium-Version" mit noch höherer Speicherdichte und Zuverlässigkeit. Auch andere Hersteller rüsten sich allmählich für die Fertigung von 3D-V-NAND-SSDs: Bei Toshiba und Kooperationspartner SanDisk etwa dauert aber wohl noch bis 2016, bis die entsprechenden Fertigungsanlagen in Betrieb gehen. (boi)