Samsung steckt 6 Milliarden Dollar in EUV-Fab für 7-nm-Chips
Am koreanischen Standort Hwaseong baut Samsung ein neues Halbleiterwerk mit EUV-Lithografie für 7-nm-Chips; einer der Kunden wird Qualcomm sein. Intel investiert derweil in Israel.
Samsung-Electronics-Standort Hwaseong mit geplanter EUV-Fab
(Bild: Samsung Electronics)
Samsung Electronics hat den Grundstein für eine neue Halbleiterfabrik am südkoreanischen Produktionsstandort Hwaseong gelegt. Die Bauarbeiten sollen 2019 abgeschlossen sein, 2020 soll dann die Fertigung von Chips mit 7-Nanometer-Strukturen im Fertigungsprozess 7 nm Low-Power Plus (7LPP) anlaufen. Auf umgerechnet rund 6 Milliarden US-Dollar schätzt Samsung die nötigen Investitionen. Die Fertigung soll mit EUV-Lithografie erfolgen, also mit Licht im extremen Ultraviolett-(EUV-)Bereich.
Einen großen Auftraggeber hat Samsung schon ins Boot geholt: Qualcomm will auch künftige Generationen seiner Snapdragon-SoCs für Smartphones bei Samsung fertigen lassen, dann mit 7LPP. Dabei erwähnen die Partner, die im Markt der Smartphone-SoCs aber auch Konkurrenten sind, auch die integrierten Modems für 5G-Funktechnik in kommenden Snapdragon-Chips.
Samsung will in der neuen Fab aber auch andere Chips für andere Auftraggeber produzieren.
Intel investiert in Kiryat Gat
(Bild: Intel)
Der israelische Wirtschaftsminister Eli Cohen hat unterdessen nach Gesprächen mit Intel verkündet, dass der US-Chiphersteller seinen Standort Kiryat Gat ausbauen will. Hier seien in den nächsten JahrenInvestitionen in Höhe von ebenfalls rund 6 Milliarden US-Dollar geplant. Intel selbst hat bisher nicht mitgeteilt, um welche Chips und Strukturgrößen es dabei geht.
Intels 10-nm-Technik mit Kobalt
Auf der IEDM 2017 im Dezember hatte Intel erklärt, in einigen Metalllagen kommender 10-nm-Chips Kobalt als Leitermaterial einzusetzen. Es hat zwar einen höheren Widerstand als Kupfer, bietet bei den feinen Leitungen aber andere Vorteile.
7 nm vs. 10 nm
Die Fertigungsprozesse der verschiedenen Chiphersteller und Auftragsfertiger (Foundries) sind nur schwer miteinander vergleichbar, unter anderem wegen der unterschiedlichen Transistorstrukturen (3D-/FinFETs). Laut einer Analyse von David Schor bei Wikichip.org packt Intels 10-nm-Technik Transistoren aber dichter, als es Globalfoundries und TSMC mit ihren jeweiligen 7-nm-Verfahren schaffen. Intel kommt dabei ohne EUV-Lithografie aus, verwendet aber Quad Patterning. Allerdings kämpft Intel mit starken Verzögerungen bei der Einführung von 10-nm-Prozessoren wie Cannon Lake (und mit Bugs wie Meltdown und Spectre, die freilich nichts mit der Fertigungstechnik zu tun haben).
Globalfoundries will die ersten 7-nm-Chips noch ohne EUV produzieren, also weiterhin mit Immersionslithografie. TSMC fertigt nach eigenen Angaben bereits Prototypen von 7-nm-Chips. (ciw)
