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Mehrere Hersteller kündigen Speicherchips und Speichermodule mit besonders hohen Kapazitäten an.

Mehrere Hersteller kündigen Speicherchips und Speichermodule mit besonders hohen Kapazitäten an. DRAM [1]-Weltmarktführer Samsung stellt schon seit vergangenem Herbst 1-GBit-Chips mit DDR [2](1)-Schnittstelle her (K4H1G0838M [3]) und fertigt daraus auch ungepufferte 2-GByte-Speichermodule (M368L5623MTN [4]) sowie Registered [5] DIMM [6]s mit 2 und 4 GByte [7] Kapazität (Tabelle [8]), ein 8-GByte-DIMM gibt es zumindest als Prototyp [9] (wobei Samsung erwartet, dass dermaßen hohe Kapazitäten in der Praxis wohl eher in Form von Fully-Buffered-DIMMs zum Einsatz kommen werden).

Erst mit ungepufferten 2-GByte-Riegeln lässt sich bei den heute verfügbaren Desktop-PC-Mainboards mit vier DIMM-Steckplätzen die 4-GByte-Grenze überwinden -- typischer Server-Systeme bieten mehr Steckplätze und sind darüber hinaus auch noch für Registered DIMMs ausgelegt, die höhere Speicherkapazitäten (etwa durch den Einsatz von Dual-Die [10]-Chips oder durch Stacking) erreichen.

Die ungepufferten 2-GByte-DDR-DIMMs von Samsung sollten beispielsweise auf Sockel-939-Mainboards für den Athlon 64 laufen. Es gibt aber einen Haken: Die Chips erreichen zurzeit maximal 166 MHz Taktfrequenz (DDR333/PC2700). Man muss also zwischen Geschwindigkeit und Kapazität des RAM einen Kompromiss finden. Dazu kommt noch, dass die meisten Memory Controller beim Einsatz von vier doppelreihigen Speichermodulen und höheren Frequenzen auf einen langsameren Adressierungsmodus ("2T Command Rate [11]") zurückschalten.

Ab Mai oder Juni will Samsung nun auch 1-GBit-DDR2-Chips (K4T1G044QM [12]) zu ungepufferten 2-GByte-DIMMs mit DDR2 [13]-Interface (M3785663AZ3-C) verarbeiten, die auch (als E6-Version) die 333 MHz Taktfrequenz für DDR2-667-Betrieb erreichen sollen.

Beim Vergleich der 1-GBit-Chips mit DDR- und DDR2-Schnittstelle fällt auf, dass die DDR-Bauteile (wie alle für PC-Hauptspeicher üblichen SDRAMs ab 64 MBit Kapazität) vier interne Bänke besitzen, während sich die Speicherzellen bei den 1-GBit-DDR2-Chips auf acht Bänke verteilen.

Auch die Webseite des Herstellers Elpida listet solche Speicherchips [14] auf, zunächst aber nur mit bis zu 266 MHz Taktfrequenz (DDR2-533-444). Mit Hilfe der laut Elpida einzigartigen Stacked-FBGA-Technik baut das Unternehmen daraus nun auch 4-GByte-Registered-DIMMs, deren Serienfertigung im Juli anlaufen soll. Micron wiederum ist stolz darauf, dass das 4-GByte-PC2-3200R-DIMM MT36HTJ51272Y-40E [15] schon auf Intels Validierungsliste [16] auftaucht. Auch in Intels Liste der ungepufferten PC2-4200-Module [17] finden sich bereits Micron-Module mit 2 GByte Kapazität [18] -- trotz der bei Intel vermerkten Produktionswoche 4/2004 beschreibt die Micron-Webseite ihren Lieferstatus aber noch immer als "Muster" und sie fehlen auch im Angebot der Micron-Vertriebstochter Crucial [19].

Infineon hat ebenfalls schon 4-GByte-Registered-DDR2-DIMMs [20] und ungepufferte 2-GByte-DDR2-Riegel [21] im Angebot, letztere erreichen allerdings maximal 266 MHz (DDR2-533/PC2-4200). Interessant sind bei Infineon auch die 2-GByte-DDR2-SO-DIMMs [22] für (Sonoma-)Notebooks der neuesten Generation, die aus Dual-Die [23]-Chips bestehen. Weil kaum ein Notebook allerdings mehr als zwei Speicher-Steckplätze bietet, dürfte selbst mit diesen Modulen die 4-GByte-Grenze kaum zu knacken sein.

Als weiteres DRAM-Markt-Schwergewicht listet schließlich auch Hynix auf seiner Webseite [24] schon ungepufferte 2-GByte-DDR2-DIMMs auf, die sich bereits in der Serienfertigung befinden sollen und auch mit DDR2-533-444-Zeitparametern laufen. Nach Angaben des deutschen Hynix-Vertriebsbüros ist aber beispielsweise das Modul HYMP125U648 [25] erst "angedacht" -- also noch nicht lieferbar.

Kingston hat ebenfalls schon eine Reihe von 2-GByte-Speicherriegeln im Angebot, die sich dort aber nicht so leicht finden lassen: Wie viele andere Third-Party-Modulhersteller auch bietet Kingston so genannte Kits an, die schlichtweg aus zwei (oder mehr) einzelnen Modulen bestehen. Bei Kingston sind zurzeit nur Registered-DIMMs mit mehr als 1 GByte zu haben. Die Kingston-Webseite zeigt dabei, dass die 1-GBit-Chips offenbar noch sehr viel teurer sind als 512-MBit-Bausteine: Während das zweireihige 2-GByte-Registered-ECC-Modul KVR400D2D4R3/2G [26], das aus 36 512-MBit-DDR2-x4-SDRAMs hesteht, schon für 525 US-Dollar zu haben sein soll, verlangt Kingston für das einreihige KVR400D2S4R3/2G [27] (aus achtzehn 1-GBit-x4-Chips) mit rund 2200 US-Dollar das Vierfache. "Nur" knapp doppelt so teuer wie die Version aus 512-MBit-Chips ist allerdings das zweireihige KVR400D2D8R3/2G [28] aus 128Mx8-Chips.

Die großen Chipfirmen haben auch alle schon eine Musterpalette an Fully-Buffered-(FB-)DIMMs aufgebaut. Im ersten Quartal 2006 sollen diese Speichermodule mit spezieller Schnittstelle [29] einen wesentlich höheren Hauptspeicher-Ausbau bei Servern ermöglichen: Dann will Intel die Bensley [30]-Plattform für Doppelkern-Xeons herausbringen. Später will auch AMD Serverprozessoren mit FB-DIMM-Interface bauen. Bei Workstations und Desktop-Rechnern sollen FB-DIMMs zunächst nicht zum Einsatz kommen -- die leicht verlängerten Zugriffs-Latenzzeiten würden hier stärker stören, außerdem liegt der maximal Speicherausbau bei diesen Systemen niedriger. (ciw [31])

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[1] http://www.heise.de/glossar/entry/Dynamic-Random-Access-Memory-395584.html
[2] http://www.heise.de/glossar/entry/Double-Data-Rate-395516.html
[3] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDRSDRAM/DDRSDRAMcomponent/1Gbit/K4H1G0838M/K4H1G0838M.htm
[4] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDRSDRAM/DDRSDRAMmodule/UnbufferedDIMM/M368L5623MTN/M368L5623MTN.htm
[5] http://www.heise.de/glossar/entry/Register-398197.html
[6] http://www.heise.de/glossar/entry/Dual-Inline-Memory-Module-395512.html
[7] http://www.heise.de/glossar/entry/Gigabyte-395779.html
[8] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=DRM030201
[9] https://www.heise.de/news/8-Gigabyte-Speichermodul-fuer-Server-103125.html
[10] http://www.heise.de/glossar/entry/Die-398061.html
[11] http://www.heise.de/ct/aktuell/meldung/58253
[12] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/DDR2SDRAMcomponent/1Gbit/K4T1G044QM/K4T1G044QM.htm
[13] http://www.heise.de/glossar/entry/DDR2-Speicher-395664.html
[14] http://www.elpida.com/en/products/ddr2.html
[15] http://www.micron.com/products/modules/ddr2sdram/part.aspx?part=MT36HTJ51272Y-40E
[16] http://developer.intel.com/technology/memory/ddr/valid/DDR2_reg_dimm_results.htm
[17] http://developer.intel.com/technology/memory/ddr/valid/DDR2_dimm_results.htm
[18] http://www.micron.com/products/modules/ddr2sdram/part.aspx?part=MT16HTF25664AY-53E
[19] http://www.crucial.com/eu/store/listmodule.asp?module=DDR2+PC2-4200&Attrib=Package&cat=RAM
[20] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=45629&cat_oid=-11363
[21] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=45628&cat_oid=-11363
[22] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=47156&cat_oid=-11363
[23] http://www.heise.de/glossar/entry/Dual-Die-Package-397141.html
[24] http://www.hynix.com/datasheet/eng/module/module_sub.jsp?RK=08&SK=UD&RAM_NAME=DDR2%20SDRAM&SUB_RAM=256MB&SUB_RAM1=512MB&SUB_RAM2=1GB&SUB_RAM3=2GB
[25] http://www.hynix.com/datasheet/eng/module/details/module_08_HYMP125U648.jsp
[26] http://www.ec.kingston.com/ecom/configurator/PartsInfo.asp?ktcpartno=KVR400D2D4R3/2G
[27] http://www.ec.kingston.com/ecom/configurator/PartsInfo.asp?ktcpartno=KVR400D2S4R3/2G
[28] http://www.ec.kingston.com/ecom/configurator/PartsInfo.asp?ktcpartno=KVR400D2D8R3/2G
[29] https://www.heise.de/news/Samsung-kuendigt-DDR3-RAM-fuer-2006-an-136190.html
[30] https://www.heise.de/news/IDF-Intel-will-die-Server-Hardware-Entwicklung-vorantreiben-140095.html
[31] mailto:ciw@ct.de

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