Zeitung: Dresdner Forscher lösten Problem des Kupfer-Chip

Forscher des Instituts für Festkörper-und Werkstofforschung (IFW) Dresden sind Problemen bei der Herstellung von Prozessoren mit Kupfertechnologie auf die Spur gekommen. Nach einem Bericht der Dresdner Neuesten Nachrichten (Mittwochausgabe) analysierte das Team weltweit erstmals zerstörungsfrei, auf welche Art und Weise bei hohen Temperaturen Kupfer das Siliziumoxid auf Mikrochips "vergiftet" und dadurch diesen Chip unbrauchbar macht, schreibt das Blatt.

Erst Anfang 2000 hatte der US-amerikanische Halbleiterhersteller AMD einen Prozessor der Athlon-Familie vorgestellt, der erstmals bei der Taktung die Schallmauer von einem Gigahertz durchbrach. Dabei half entscheidend die Umstellung von der Aluminium- auf die Kupfertechnologie.

Durch selbst entwickelte Simulationen im Rasterlektronenmikroskop können die Dresdner Forscher inzwischen genau die Probleme erkunden, die mit den kleiner werdenden Leiterbahnen auf dem Chip und höherer Taktung der Mikroprozessoren auftreten. Beide Phänomene sind in Bezug auf Kupfer weltweit noch wenig erforscht. Dabei dringt das rötliche Material in das Siliziumoxid, auf dem es installiert ist und bei hohen Temperaturen reißen die Elektronen die Atomrümpfe des Kupfers mit, so dass Löcher und Häufchen auf den Leiterbahnen entstehen können (Elektromigration), schreibt die Zeitung.

Das IWF und AMD arbeiten seit zwei Jahren in verschiedenen Forschungsprojekten zusammen, an denen auch die TUs Dresden und Chemnitz sowie das Forschungszentrum Rossendorf beteiligt sind. Das Gesamtvolumen dieser Projekte beträgt rund fünf Millionen Mark, getragen von Bund, Land und AMD. ( dpa) / ()