Sematech nimmt Forschungszentrum für EUV-Lithografie-Lacke in Betrieb
Trotz enormer technischer Herausforderungen sollen bereits ab 2009 mit EUV-Lithografie Halbleiterstrukturen unter 40 Nanometern entstehen. Vor allem bei der Lichtquelle und den lichtempfindlichen Lacken besteht allerdings noch erheblicher Forschungsbedarf
Das Konsortium Sematech hat in Albany, New York ein Forschungszentrum eröffnet, das bis 2008 mit einem Budget von 20 Millionen Dollar finanziert ist und eine Geräteausstattung im Wert von 30 Millionen Dollar hat. In enger Zusammenarbeit mit dem Albany Institute for Nanoelectronics Discovery and Exploration (INDEX) sollen Materialien entwickelt und geprüft werden, die als lichtempfindliche Lacke für die für die EUV-Lithografie in Frage kommen.
EUV (Extremes Ultraviolett) steht in diesem Zusammenhang für "Licht" mit der Wellenlänge 13,5 nm, die auch als weiche Röntgenstrahlung bezeichnet wird. Die Lithografie-Technik, wie sie bislang für die Chip-Herstellung eingesetzt wird, funktioniert mit EUV-Lithografie nicht: Für dieses Licht gibt es keine Linsen mehr, der gesamte Strahlengang, mit dem die Maskenstruktur auf den Wafer abgebildet wird, muss über Spiegel geführt werden.
Wegen der deutlich kleinere Wellenlänge müssen auch neue lichtempfindliche Lacke entwickelt werden, ein bislang ungelöstes Problem. Sematech wurde 1986 auf Veranlassung des amerikanischen Staates gegründet, um als eine gemeinsame Entwicklungsplattform von ansonsten miteinander konkurrierenden Halbleiterfirmen zu dienen. Das Konsortium soll vor allem unnötige Mehrfachausgaben bei den explosiv steigenden Entwicklungskosten reduzieren. Mit der geballten Finanzkraft soll jetzt das Problem der Photoresist-Materialien angegangen werden.
Noch weiß man zudem nicht, woher 13,5-nm-Licht in genügender Intensität kommen soll. Nach Meinung einiger Experten kann das noch das gesamte EUV-Projekt kippen. Intel Capital hat vor einigen Tagen eine kräftige Finanzspritze in XTREME technologies gesteckt, einem Gemeinschaftsunternehmen der deutschen Jenoptik und der japanischen Ushio, um die Entwicklung einer solchen Lichtquelle zu beschleunigen. Intel hat seit 2004 eine EUV-Pilotanlage in Betrieb und will die Technik bereits ab 2009 zur Serienproduktion von Chips einsetzen, doch bis dahin ist es noch ein weiter Weg. (jr)
