Siliziumchip mit integriertem Nano-Laser
Physiker der Technischen Universität München (TUM) haben ein neues Herstellungsverfahren entwickelt, um sogenannte Nanodraht-Laser direkt auf Siliziumchips wachsen zu lassen. Solche Nanodrähte bestehen aus Materialien der chemischen Hauptgruppen III und V (Borgruppe, Stickstoff-Phosphor-Gruppe), die in Kombination Halbleiter-Eigenschaften aufweisen.
Regt man die Halbleiter-Nanodrähte energetisch an, emittieren sie Infrarotlicht, was sich für schnelle optische Datenübertragungen auf Chipebene nutzen lässt. Problematisch erwies sich bislang allerdings die Verbindung der Nanodraht-Laser mit der Silizium-Oberfläche.
„Die beiden Materialien haben unterschiedliche Gitterabstände und unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten. Das führt zu Spannungen“, erläutert Dr. Gregor Koblmüller vom Lehrstuhl für Halbleiter-Nanostrukturen und -Quantensysteme der TU München. „Dampft man zum Beispiel Galliumarsenid flächig auf Silizium auf, treten Defekte auf.“
Die TUM-Physiker umgehen dieses Problem, indem sie Galliumarsenid-Nanodrähte aufrecht auf dem Silizium wachsen lassen. Ihre Grundfläche beträgt dadurch lediglich wenige Quadratnanometer. Defekte können die Wissenschaftler so weitgehend vermeiden.
Damit die Nanodrähte als Laser funktionieren, ist allerdings noch ein weiterer Griff in die Trickkiste nötig. Denn um kohärentes Licht zu erzeugen, müssen die Photonen am oberen und am unteren Ende der Nanodrähte reflektiert werden. Erst dadurch verstärkt sich der Lichtpuls, bis er die gewünschte Leistung erreicht hat.
„Da der Übergang zwischen Galliumarsenid und Silizium dafür nicht genug Licht liefert, haben wir einen Extra-Spiegel eingebaut – eine 200 Nanometer dünne Siliziumoxid-Schicht, die auf das Silizium aufgedampft wird“, erklären die Wissenschaftler.
In diese Spiegelschicht ätzen die Forscher feine Löcher, in denen die vorgesehenen Halbleiter-Nanodrähte dann durch geordnetes Kristallwachstum (Epitaxie) Atomlage für Atomlage aufgebaut werden. Ragen die Nanodrähte über die Spiegelfläche hinaus, dürfen sie auch in die Breite wachsen – bis der Halbleiter dick genug ist, dass sich Photonen in ihm bewegen und die Aussendung weiterer Lichtteilchen anregen können.
„Dieser Prozess ist sehr elegant, weil wir die Nanodraht-Laser so direkt auf Wellenleiter im Siliziumchip positionieren können“, verdeutlicht Physiker Koblmüller. Zur Anregung der Nanodrähte verwenden die Wissenschaftler derzeit allerdings noch externe Laser. „Als Nächstes wollen wir eine Stromschnittstelle schaffen, damit wir die Nanodrähte elektrisch betreiben können und keine externen Laser mehr benötigen“, sagt Koblmüller. (pmz@ct.de)