Speicher-Update

Über 100 Lagen und Triple-Level-Cell-(TLC-) Technik hat der NAND-Flash-Speicher der Samsung 870 Evo. Damit ist sie beim sequenziellen Schreiben mit 530 MByte/s einen Tick schneller als die Vorgängerin. Bei Zugriffen auf zufällige Adressen erreicht die 870 Evo beim Lesen bis zu 100.000 IOPS, im Vergleich besonders schnell ist sie bei geringen Anfragetiefen: Knapp 12.000 IOPS bei einer „Queue Depth“ von 1 sind für eine SATA-SSD gut.

Die Schreibleistung sinkt bei unserem 4 TByte großen Testmuster auch nach dem Befüllen des 78 GByte großen SLC-Caches nicht, anders als bei den kleinsten Modellen mit 250 und 500 GByte:  Diese haben kleinere SLC-Caches und können zudem die Zugriffe schlechter parallelisieren. Der PCmark 10 bescheinigt unserer 870 Evo knapp 1200 Punkte im Drive Consistency Test – fast das Doppelte einer gebrauchten und nur 250 GByte großen 860 Evo und weit mehr als bei vielen PCIe-SSDs.