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3D-Flash mit 232 Lagen für größere und schnellere SSDs

Die neue Flash-Generation von Micron ist durch eine schnellere Schnittstelle für den Einsatz in SSDs mit PCIe 5.0 vorbereitet. Weitere Layer ermöglichen einen Kapazitätszuwachs um rund 30 Prozent.

Mehr als 200 Lagen NAND-Flash stapelt Micron in der neuen Version seines Speicherbausteins übereinander. Insgesamt ist der Turm weniger als einen Zehntel Millimeter hoch.

Bild: Micron

Der amerikanische Hersteller Micron startet die Produktion seiner nächsten NAND-Flash-Version mit 232 Lagen. Wie üblich ist der Stack geteilt, in diesem Fall sind es jeweils 116 Lagen; darunter befindet sich die CMOS-Ansteuerung (CMOS under Array, CuA). Micron steigert die Geschwindigkeit des Interfaces nach dem ONFI-Standard 5.0 auf 2,4 GByte/s, die reale Geschwindigkeit eines Dies soll beim Schreiben doppelt so hoch sein wie beim Vorgänger, beim Lesen verspricht Micron eine Beschleunigung um 77 Prozent. Die Leistungsaufnahme der Schnittstelle sinkt durch die Verringerung der Spannung um mehr als 30 Prozent.

Erstmals kommt laut Micron ein Design mit sechs Planes pro Die zum Einsatz, üblich sind bei NAND-Flash bislang maximal vier. Da Planes separat ansprechbar sind, gibt es weniger Kollisionen beim gleichzeitigen Lesen und Schreiben; die IO-Leistung im Mischbetrieb soll damit steigen.