HGST zeigt SSD mit Phase Change Memory
Ist NAND-Flash schon bald am Ende? HGST, ein Tochterunternehmen von Western Digital, zeigt auf dem Flash Memory Summit im amerikanische Santa Clara eine SSD mit Phase Change Memory. Diese Technik könnte zumindest im Server-Bereich auf lange Sicht NAND-Flash ablösen.
Drei Millionen IOPS und Zugriffszeiten von 1,5 µs verspricht HGST für seine neue SSD mit Phase Change Memory – bislang ist das, was HGST auf dem Treffen der Flash-Branche zeigt, jedoch nur eine Technologie-Demonstration. Die genannten Werte sind allerdings um Größenordnungen besser als die mit herkömmlichem NAND-Bausteinen möglichen.
Phasenwechselspeicher ist als Serienprodukt schon einige Jahre verfügbar, allerdings nur mit geringen Kapazitäten. HGST verbaut auf seiner PCM-SSD nun 1-GBit-PCM-Chips aus seiner 45-nm-Fertigung. Angebunden ist die Karte über PCIe-2.0 mit vier Lanes. Das moderne und schnelle NVMe-Protokoll war für die Karte nach HGST-Angaben schon zu langsam, weswegen hier ein in Zusammenarbeit mit Forschern der University of California in San Diego entwickeltes Kommunikationsprotokoll zum Einsatz kommt.
Von der Serienreife scheint die Technik jedoch noch weit entfernt zu sein. HGST nennt weder einen Termin für den Marktstart noch gar einen Preis für die SSD. Auch andere Hersteller arbeiten an Phase Change Memory, IBM hatte gerade vor einigen Wochen Fortschritte bei dieser Technik vermeldet.
Dennoch könnte PCM auf Dauer eine Alternative für Flash-Speicher sein. PCM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der rein elektrisch beschrieben und gelesen wird. Beschrieben wird der Speicher durch einen kurzen Stromimpuls mit recht hoher Stromstärke, der das Material erhitzt. Beim Abkühlen wechselt es in den amorphen Zustand. Ein längerer Stromstoß mit geringerer Stromstärke führt zur Kristallisation. Da die beiden Zustände einen unterschiedlichen elektrischen Widerstand besitzen, kann man so ein Bit speichern. Bei Raumtemperatur ist der Zustand der Speicherzelle stabil. (ll)
