Intels Flash-Alternative 3D XPoint wohl erst 2017
Der Co-CEO von IM Flash bestätigt, dass der 3D-XPoint-Speicher die PCM-Technik nutzt, erwartet die Serienfertigung aber erst in 12 bis 18 Monaten.
Intels Flash-Alternative 3D XPoint: Prototyp mit 128 GBit (16 GByte)
(Bild: Intel)
Ende Juli vergangenen Jahres hatte Intel die neuartigen 3D-XPoint-Chips für kommende Optane-SSDs und zum Einsatz in nichtflüchtigen DIMMs angekündigt, aber nicht verraten, welche Speichertechnik dabei zum Einsatz kommt. Manche Experten tippten auf ReRAM, andere auf Phase-Change Memory (PCM). Nun hat Guy Blalock, Co-CEO der Intel-Micron-Firma IM Flash Technologies, Spekulationen über PCM bestätigt.
Wie die EETimes berichtet, hat Guy Blalock auf einer Veranstaltung der Halbleiterbranche über 3D XPoint gesprochen und dabei den Einsatz von Chalcogeniden und Ovonyx-Schaltelementen bestätigt – an PCM mit dieser Technik forschen Intel und Micron schon seit Jahren und haben passendes Know-how zugekauft.
Doch Guy Blalock sprach laut EETimes auch über viele Schwierigkeiten, die bis zum Anlauf der Großserienfertigung von 3D-XPoint-Chips noch zu lösen seien. Demnach kommen sehr viele innovative Materialien zum Einsatz, mit denen man Erfahrungen sammeln müsse. Das könne auch Großkunden abschrecken, die Lieferschwierigkeiten befürchten, weil es manche der Materialien nur bei wenigen Zulieferern gibt. Während 3D-NAND-Flash außerdem mittlerweile schon mit über 30 Funktionslagen gefertigt werde, schaffe IM Flash bei 3D XPoint anfangs gerade mal zwei Lagen.
Musterchips sollen laut Blalock zwar wie angekündigt noch 2016 kommen, bis zur Serienfertigung könnten aber "12 bis 18 Monate" vergehen.
Intel will kommende "Optane"-SSDs mit 3D XPoint bestücken, diese dürften PCI-Express-Schnittstellen und das NVMe-Protokoll nutzen. Außerdem sollen spezielle nichtflüchtige DIMMs in der für 2017 geplanten Xeon-Server-Plattform Purley zum Einsatz kommen, ähnlich wie ULLtraDIMM-SSDs von SanDisk in IBM- und Supermicro-Servern. (ciw)
