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Der koreanische Speicherchip-Marktführer Samsung kündigt Speicherriegel mit 8 GByte Kapazität an.

Der koreanische Speicherchip-Marktführer Samsung [1] kündigt Speicherriegel mit 8 GByte Kapazität an. Prototypen sollen bereits an "führende Server-Hersteller" ausgeliefert worden sein, um ihre Einsatzmöglichkeiten zu prüfen.

Die neuen 8-GByte-DIMMs bestehen aus 72 "nackten" 1-GBit-Chips, die Samsung in 100-Nanometer-Technik fertigt und dann jeweils in Vierer-Stapeln in ein gemeinsames FBGA-Gehäuse packt (Fine-Pitch Ball Grid Array Multistack Package, FBGA-MSP). Je neun dieser Vierfach-Sandwiches sitzen auf beiden Seiten des DIMMs, durch die kompakte Chipfläche und die ausgefeilte Packtechnik handelt es sich dabei auch noch um Module im Low-Profile-Format (1,2 Zoll, also rund 3 Zentimeter Höhe), die aufrecht stehend in flache 1-HE-Rackserver-Einschubgehäuse passen.

Die Bauteile sollen außer als FBGA-MSP auch noch als Package-Stack in TSOP [2]-Bauform (Thin Small Outline Package) kommen, wobei 72 1-GBit-Chips in einzelnen TSOPs jeweils zweifach übereinander in zwei Reihen auf dem DIMM montiert sind. Diese herkömmliche Stacked-DIMM-Bauform ist deutlich höher und nur für Server in größeren Gehäusen geeignet.

Über die Schnittstelle der GBit-Chips (SDR, DDR oder DDR2 [3]) und ihre Geschwindigkeitsklassen macht Samsung noch keine Angaben. Im letzten Jahr hatte Samsung -- wie auch Infineon [4] -- 4-GByte-DIMMs angekündigt, die aber laut Webseite in der DDR1-Ausführung [5] erst als "Kundenmuster" (Customer Sample) und in DDR2-Ausführung [6] nur als "Entwicklermuster" (Engineering Sample) zu bekommen sind. Stacked DIMMs werden nur als Registered-Module mit zusätzlichen Pufferchips für die Adressleitungen gebaut, um die Treiberstufen des Speichercontrollers nicht zu überlasten. Die 1-GBit-SDRAMs erreichen unter anderem wegen der vergleichsweise großen Chip-Fläche noch nicht die Taktfrequenzen kleinerer Bauformen, für das 4-GByte-Modul in DDR1-Technik nennt Samsung zurzeit maximal PC2100-2033 [7] (DDR266, 133 MHz). Die JEDEC-Normen erlauben für 1-GBit-Chips auch einige weitere, langsamere Zugriffsparameter. Schnelle 1-GBit-Chips dürften erst mit größerer Reife der 100-Nanometer-Fertigungstechnik oder gar erst mit den 70-Nanometer-Strukturen [8] in größeren Stückzahlen kommen. (ciw [9])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-103125

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.samsung.de/
[2] http://www.intel.com/design/flcomp/packdata/296514.htm
[3] https://www.heise.de/news/DDR2-RAM-Aufpreise-zwischen-20-und-50-Prozent-Update-100049.html
[4] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_ov.jsp?oid=45629&cat_oid=-11363
[5] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=DRM030201
[6] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=DRM070201
[7] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDRSDRAM/DDRSDRAMmodule/RegisteredDIMM/M312L5128MT0/M312L5128MT0.htm
[8] https://www.heise.de/news/Samsung-will-noch-2004-DRAM-Prototypen-mit-70-Nanometer-Strukturen-vorlegen-100209.html
[9] mailto:ciw@ct.de

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