Bund fördert Entwicklung von 157-nm-Lithographie

Das Bundesministerium für Bildung und Forschung will das Verbundvorhaben "Laserbasierte Ultrapräzisionstechnik – 157nm-Lithographie" mit rund 23 Millionen Mark fördern. Ziel des Forschungsprojekts ist die Entwicklung einer laserbasierten Lithographie, mit der man Chips mit minimalen Strukturbreiten von etwa 100 Nanometern fertigen kann. In dem Verbund arbeiten neben einigen Forschungsinstituten die deutschen Unternehmen Carl Zeiss, Lambda Physik, Jenoptik, Schott und Siemens, sowie der niederländische Hersteller spezieller Belichtungsgeräte ASML. 2001 sollen die Grundlagen für ein Demonstrationsgerät erarbeitet sein.

Die Übertragung der Schaltungsentwürfe auf das Silizium mit Hilfe der Lithographie ist der zentrale und zugleich kritischste Prozeß der Chipherstellung: Lichtquelle und Linsensystem projizieren die Strukturen einer Maskenvorlage auf den mit einem lichtempfindlichen Film beschichteten Wafer. Die belichteten Bereiche des Fotoresists werden mit einem Entwickler herausgelöst, und die übrigbleibenden Resiststrukturen dienen jetzt selbst als ätzresistente Maske für die nachfolgenden Prozesse, bei denen die nichtabgedeckten Flächen dotiert, geätzt oder auch gefüllt werden. Das Auflösungsvermögen dieses Verfahrens, und damit die Größe der Halbleiterstrukturen auf dem Chip, wird durch die Wellenlänge der Laser-Lichtquelle begrenzt.

Weltweit forschen die größten Chiphersteller fieberhaft an Verfahren, um Chips mit Strukturgrößen im 100-Nanometerbereich oder darunter in großer Stückzahl zu fertigen. Das Umsatzvolumen der dazu benötigen Spezialbelichtungsgeräte wird sich bis 2006 voraussichtlich auf rund 12 Milliarden US-Dollar entwickeln. Die Förderung des Forschungsministeriums soll dazu beitragen, dass sich europäische Unternehmen auf diesem Markt gut positionieren können.

Einen ausführlicheren Bericht über den Einsatz von Nanometertechnik bei der Chip-Herstellung bringt c't in Ausgabe 8/2000 (ab 10. April im Handel). (chr)