IDF: Tri-Gate-Transistoren und 13,4-nm-Lithographie
Intels nächste Technologien: Tri-Gate-Transistoren, extreme UV-Lithographie mit 13,4-nm-"Licht", das Zusammenwachsen optischer und nichtoptischer Bauelemente, drahtlose Kommunikation überall.
Nanotechnologie, Tri-Gate-Transistoren, extreme UV-Lithographie mit 13,4-nm-"Licht", das Zusammenwachsen optischer und nichtoptischer Bauelemente in einem Chip sowie drahtlose Kommunikation überall -- das ist ein Ausblick auf Intels Technologien der nächsten Jahre. Unter dem Beifall von Captain Kirk (aka Bill Shatner) rollte Intels Chief Technology Officer Pat Gelsinger am letzten Tag des Developer Forums mit dem Segway Scooter ein, dem elektrischen Roller des Tüftlergenies Dean Kamen. Zusammen mit dem für Technologie und Herstellung zuständigen Generalmanager Sunlin Chou skizzierte Gelsinger, wie Intel dem Mooreschen Gesetz noch für viele Jahre Gültigkeit verleihen will.
Die Reaktion auf IBMs und AMDs neue FinFet-Double-Gate-Transistoren bleibt Intel auch nicht schuldig. Ihr Gegenstück hat sogar drei Gates, soll besser skalierbar hin zu kleineren Strukturen sein und eine bessere Performance bieten. Außer einem Bild wollte Intel dazu aber noch nicht viel verraten; Details hebt sich das Halbleiterhaus für den 17. September zur ISSDM in Japan auf.
Fortschritte sind auch aus der EUV-Lithographie zu vermelden, die Intel zusammen mit einigen Konkurrenten (darunter auch AMD) in einem gemeinsamen Konsortium entwickelt. Die ersten Linien mit 50 nm Abstand konnte man mit der für EUV nötigen Spiegeltechnik bereits herstellen. Von den neuen Reflektoren (80 Lagen Molybdän mit 10 Atomlagen Dicke und 15 Lagen Silizium von 15 Atomlagen Dicke) durfte sich jeder Forumsteilnehmer ein Stückchen für eigenen EUVL-Experimente -- oder als Schlüsselanhänger -- mit nach Hause nehmen. Um 2005 sollen die ersten Testchips mit EUVL hergestellt werden, ab etwa 2007 marktreife Produkte.
Viel verspricht sich Intel auch von der Integration optischer Silizium-Schichten auf einem Chip, was unter anderem preiswerte optisch-elektrische Wandler ermöglicht. Als Beweis demonstrierte Gelsinger einen einstellbaren optischen Filter. Bereits mit der 90-nm-Technik sind 40 GHz Schaltfrequenzen möglich (bei 120 GHz Sampling Rate). Per Kupfer lassen sich solche Frequenzen nicht mehr über längere Leitungen übertragen, da sind dann optische Lösungen nötig. (jow)
