IMEC und Sematech kooperieren bei 157-nm-Lithografie
Die nächste Lithografie-Generation soll ab 2005 reif für den industriellen Einsatz sein.
Die International Sematech (ISMT) -- das internationale Entwicklungskonsortium der Halbleiterhersteller Agere Systems, Hewlett-Packard, IBM, Infineon, Intel, Motorola, Philips, Texas Instruments und TSMC -- und das Interuniversity Micro-Electronics Center (IMEC) in Leuven, Belgien, haben ein gemeinsames Hochtechnologie-Programm vereinbart, das die Entwicklung der 157-nm-Lithografie beschleunigen soll. In Europas führendem Forschungs- und Entwicklungszentrum der Mikroelektronik arbeiten bereits mehr als 1250 Mitarbeiter auf dem Gebiet der mikroelektronischen Prozesstechnik und Entwurfsmethodik für die integrierten Schaltkreise der Informations- und Kommunikationstechnik.
Die Verwendung von UV-Licht der Wellenlänge 157 Nanometer (nm) zur Übertragung der Schaltkreisstrukturen von der Maskenvorlage auf den Siliziumwafer durch fotografische Belichtungsprozesse wird die Fabrikation von Chips mit charakteristischen Strukturbreiten von 65 nm und darunter ermöglichen, die sich mit den heute verwendeten Wellenlängen nicht mehr auflösen lassen.
Mit alles blockierenden Hindernissen -- im Mikroelektronik-Jargon "Showstopper" genannt -- rechnet zwar niemand mehr, dennoch bleibt noch viel zu tun, wenn die 157 nm-Lithografie wie geplant etwa ab dem Jahr 2005 in der industriellen Chip-Produktion die derzeit eingesetzten Lithografie-Prozesse mit 248 nm und 193 nm ablösen soll. Dazu gehört insbesondere die Entwicklung der an die neue Wellenlänge angepassten Resistmaterialien: Kritische Probleme wie Langzeitstabilität, Kantenrauheit und Ätzwiderstand sind noch zu lösen, bevor der Großserieneinsatz in der Halbleiterfertigung beginnen kann. Für diese Arbeiten wird im kommenden Quartal am IMEC der weltweit erste 157-nm-Vollfeld-Scanner Micrascan VII des niederländischen Herstellers ASML in Betrieb genommen.
Die 157-nm-Generation gilt als der letzte Schritt der optischen Lithografie; danach steht aufgrund völlig anders gearteter Abbildungstechniken der Technologiesprung zur EUV-Lithografie (mit extremer UV-Strahlung mit 12 bis 15 nm Wellenlänge) oder zur Elektronenstrahl-Projektionslithografie (EPL) bevor. (Richard Sietmann) / (anw)
