NAND-Flash-Chip mit 16 GBit auch von SanDisk/Toshiba
Die NAND-Flash-Kooperationspartner SanDisk und Toshiba bauen nach eigenen Angaben den bisher kleinsten Speicherchip mit 16 Milliarden Zellen.
Wenige Wochen nach Samsung kündigt nun auch die Nummer zwei im NAND-Flash-Speichermarkt einen monolithischen 16-GBit-Chip an. Der gemeinsam von SanDisk und Toshiba entwickelte Baustein mit Multi-Level-Cell-(MLC-)Technik soll ab dem zweiten Quartal in der 300-mm-Wafer-Fab Yokkaichi (bei Nagoya) in großen Stückzahlen produziert werden. Sein ebenfalls mit 56-Nanometer-Strukturen gefertigter 8-GBit-Vorgänger ist bereits seit einigen Wochen in Mustermengen verfügbar und soll noch im ersten Quartal in die Massenfertigung kommen.
Laut SanDisk ist der neue 16-GBit-Chip der weltweit kleinste – konkrete Zahlen zur Chipfläche oder Speicherzellengröße nennt das Unternehmen indes nicht. Der 16-GBit-Chip soll später im Jahr auch in der neuen 300-mm-Fab 4 des Joint Venture Flash Alliance gefertigt werden.
Toshiba offeriert auch Multichip-Packages (MCP) mit mehreren NAND-Flash-Dice sowie Kombinationsbauelemente, die außer Speicherzellen beispielsweise (als GB NAND) einen Speichercontroller mit ECC-Fehlerkorrektur, Blockverwaltung, Wear-Leveling-Algorithmus und eine SD-Card-kompatible Schnittstelle enthalten. GB NAND ist zurzeit mit bis zu 4 GByte Kapazität erhältlich und in einer Multichip-Version (GB MCP). Außerdem liefert Toshiba auch Kombinationen aus NAND-Flash und SDRAM als Package-on-Package (PoP). (ciw)
