NEC-Hitachi: 512-MBit-Speicherchips ab 2002

Die beiden japanischen Halbleiterkonzerne NEC und Hitachi bündeln Ihre DRAM-Entwicklung und -fertigung in der "NEC-Hitachi Memory Inc." mit Sitz in Tokio. An der neuen Firma beteiligen sich beide Partner zu gleichen Teilen.

Ziel des Unternehmens ist unter anderem die Entwicklung von 256- und 512-MBit-DRAM-Chips im 0,13-Mikrometer-Prozess. Speicherbausteine mit diesen verkleinerten Strukturen sollen spätestens bis zum 1. Quartal 2002 verfügbar sein. Während die Entwicklungsabteilung auf einem NEC-Werksgelände bei Tokio untergebracht ist, sollen die Chips an den Fertigungsstandorten Hiroshima (NEC) und Singapur (Hitachi) vom Band laufen. Die Vertriebsorganisation für Speicherbauelemente der beiden Halbleiterhersteller wird bis Ende 2000 ebenfalls unter einem Dach und einem Markennamen zusammengeführt.

Die für die neuen DRAM-Herstellungstechnologien nötigen gigantischen Investitionen führen zu immer stärkerer Konzentration im Speichermarkt. So arbeitet Infineon gemeinsam mit Motorola an 300-mm-Wafern, mit IBM an 1-GBit-Chips und investiert zusammen mit Mosel Vitelic in neue Fabs. Toshiba schluckte den US-Hersteller Dominion und intensiviert die Kooperation mit Fujitsu. In Südkorea schlossen sich kürzlich LG und Hyundai zusammen. (ciw)