Neues Verfahren zur Verbesserung der MRAM-Speichertechnik
Mit der ultraschnellen magnetoelektronischen Schaltung könnte ein Durchbruch für magnetische Arbeitsspeicher erzielt werden.
In der heute erschienenen Ausgabe der Zeitschrift Nature stellen Wissenschaftler eine Möglichkeit zur Optimierung des "Magnetic Random-Access Memory" vor. Diese ultraschnelle magnetoelektronische Schaltung könnte einen Durchbruch für magnetische Arbeitsspeicher bedeuten. Im Moment werden dynamische Schreib- und Lesespeicher verwendet (DRAM, Dynamic Random-Access Memory), bei denen die elektrische Ladung aber immer wieder aufgefrischt werden muss, um die Daten nicht zu verlieren.
Dem Team ist es gelungen, die Geschwindigkeit und Verlässlichkeit der magnetischen Rotation durch gesteuerte magnetische Feldimpulse zu steigern und das Wellenphänomen auszuschalten, das normalerweise dafür sorgt, dass die Magnetisierung nach einer schnellen Rotation in ihren Ausgangszustand zurückfällt. Damit lässt sich jetzt ultraschnell eine Ummagnetisierung erzielen, das heißt, die Magnetisierung wird gezielt gegeneinander ausgerichtet und wie gewünscht umgeschaltet. Der Impuls wird durch die zeitversetzte Überlagerung von zwei Laserimpulsen in Pikosekunden erreicht (1 × 10-12s). Mehr in Telepolis: Auf der Suche nach dem Heiligen Gral in der Welt der Halbleiterspeicher. (fr)
