Schneller Flash-Speicher mit 2 GBit
Durch sein neues 60-nm-Fertigungsverfahren konnte Samsung die Schreibgeschwindigkeit seiner Flash-Speicher fast verdoppeln.
- Michael Riepe
Samsung hat die neue Generation seiner OneNAND getauften Flash-Speicher vorgestellt. Die in 60-nm-Technik gefertigten 2-Gigabit-Chips besitzen nicht nur eine doppelt so hohe Kapazität wie ihre Vorgänger, sondern lassen sich laut Angaben des Herstellers mit 17 MByte/s auch knapp 83 % schneller beschreiben. Unverändert ist allerdings das Lesetempo von 108 MByte/s.
Während einige Hersteller von NAND-Flash ganz auf so genannte MLC-Speicherzellen (Multi Level Cell) setzen, die pro Transistor zwei Bits speichern können, verwendet Samsung in seiner OneNAND-Familie herkömmlichen SLC-Speicher (Single Level Cell). Er bringt auf derselben Chip-Fläche nur etwa die halbe Datenmenge unter, ist jedoch schneller, benötigt weniger Energie und besitzt eine erheblich höhere Lebensdauer. Gängige SLC-Chips erlauben etwa 100.000 Löschzyklen, MLC-Speicher nur 10.000. Als Anwendungsgebiet sieht Samsung neben mobilen Geräten die so genannten Hybrid-Festplatten, in denen magnetischer und Flash-Speicher Seite an Seite arbeiten. (mr)
