Texas Instruments will Analog-ICs auf 300-Millimeter-Wafern fertigen
Als erster Hersteller weltweit will TI ab Ende 2010 Analog-ICs auf den großen Siliziumscheiben produzieren. Ein Teil der Fertigungsanlagen stammt aus der US-Fab von Qimonda.
(Bild: TI)
Nun ist es offiziell: Die bereits vor einigen Jahren fertig gestellte RFAB von Texas Instruments (TI) in Richardson bei Dallas/Texas soll ab Ende 2010 die Fertigung von Analog-Halbleiterschaltungen auf Siliziumscheiben mit 30 Zentimetern Durchmesser aufnehmen. Damit ist das Werk das erste weltweit, das 300-mm-Wafer zu Analog-ICs verarbeitet; diese werden bisher auf kleineren Scheiben hergestellt.
Die Entscheidung für die 300-mm-Analog-Fab fiel auch deshalb, weil TI für vergleichsweise günstige 172,5 Millionen US-Dollar Anlagen zur Verarbeitung von 300-mm-Scheiben aus dem ehemaligen Qimonda-Werk in Sandston bei Richmond/Virginia kaufen konnte. Dadurch spart TI Investitionen, deren Höhe bisher wohl den Einsatz der 300-mm-Wafer-Technik verhindert hat. Als erste Fertigungstechnik will TI in der RFAB den Prozess LBC7 für lineare BiCMOS-Bauelemente implementieren, der "Feature Sizes" von 250 Nanometern und Leistungstransistoren mit 40 Volt Nennspannung ermöglicht.
Ende 2010 sollen in der RFAB rund 250 Menschen arbeiten, später bis zu 1000. Laut TI ist es die erste neue Chipfabrik, die in den USA seit 1996 den Betrieb aufnimmt – gegen diesen Superlativ wird vermutlich Intel etwas einzuwenden haben, denn das Unternehmen hat beispielsweise in Arizona und New Mexico in den vergangenen Jahren neue Fabs aufgebaut – allerdings für Prozessoren, also Digitalschaltungen. Außerdem handelte es sich um bestehende Standorte und teilweise um die Aufrüstung älterer Anlagen, wie es Globalfoundries zurzeit noch in Dresden macht (AMD-Fab 30 zu Fab 38 beziehungsweise Fab 1 Modul 2). DRAMs und Prozessoren werden schon seit neun Jahren auf 300-mm-Wafern produziert.
Die als leere Hülle bereits 2006 fertig gestellte RFAB, die wegen der sich damals verschlechternden Marktlage seither leer stand, soll jährlich Halbleiterbauelemente im Wert von 1 Milliarde US-Dollar fertigen können. Das Werk soll besonders sparsam mit Energie und Wasser umgehen und war nach TI-Angaben 2006 die erste Chip-Fab, die die LEED-Gold-Anforderungen des U.S. Green Building Council erfüllt hat. (ciw)
