Forscher sehen Durchbruch bei Entwicklung kleiner Transistoren

Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal und Wien ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer und damit leistungsfähigerer Transistoren gelungen. Wie die Hochschulen am Mittwoch mitteilten, erforschten die Experten mit Computersimulationen die Wirkungsweise von Strontiumtitanat. Im Gegensatz zu dem bisher verwendeten Siliziumoxid behält die neue Substanz auch in extrem dünnen Lagen ihre isolierende Eigenschaft.

Damit ein Transistor funktioniert, benötigt man eine dünne, isolierende Schicht, das so genannte Gatteroxid, erläuterte Professor Peter Blöchl von der TU Clausthal. Diese Schicht werde in wenigen Jahren nur noch ein Fünfzigtausendstel eines menschlichen Haares dick sein. Mit dem bislang als Gatteroxid benutzten Siliziumdioxid lassen sich die Transistoren auf Dauer aber nicht mehr verkleinern. Der Stoff verliere seine isolierenden Eigenschaften, wenn er nur noch wenige Atomlagen dick sei. Im Transistor entstehe dann eine Art Kurzschluss. In den Versuchen habe sich Strontiumtitanat als ein Material herausgestellt, mit dem auch in dünnen Lagen eine isolierende Schicht erzeugt werden könne. (dpa) (bo)