Transistor überwindet 500-GHz-Grenze
Wissenschaftler an der Universität von Illinois haben einen heterobipolaren Transistor mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 509 GHz entwickelt.
Wissenschaftler an der Universität von Illinois haben einen heterobipolaren Transistor mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 509 GHz entwickelt. Walid Hafez, Jie-Wai Lei und Milton Feng überrundeten sich mit diesem Erfolg selbst: Im Januar 2003 hatten sie bereits einen ähnlichen Transistor vorgelegt, der 382 GHz erreichte.
Anders als bei planaren CMOS-Transistoren auf Siliziumsubstrat ist der Transistor auf der Basis von Indiumphosphid und Indiumgalliumarsenid vertikal aufgebaut. Die Gate-Elektrode ist durch eine so genannte Mikro-Brücke mit dem restlichen Transistor verbunden, um parasitäre Kapazitäten zu minimieren. Durch weitere Skalierung wollen die Forscher die Terahertz-Grenze durchbrechen. (wst)