AMD und die IBM Alliance testen EUV-Lithografie erfolgreich
Die in der IBM Alliance kooperierenden Firmen haben einen Halbleiterchip erstmals vollflächig mit EUV-Lithografie bearbeitet.
Etwa um das Jahr 2016 herum soll die Belichtung von Fotomasken mit Extrem-UV-Licht (EUV-Lithografie) erfolgen, um Halbleiterbauelemente mit Strukturbreiten von 22 Nanometern fertigen zu können. Die in der IBM Alliance kooperierenden Firmen haben nun erstmals Testchips vollflächig mit EUV-Lithografie bearbeitet.
Als Testvehikel dienten Wafer, auf denen zunächst in der Dresdner AMD-Fab 36 mit 193-Nanometer-Laserlicht und Immersionslithografie Dice mit einer Fläche von jeweils 22 Millimetern × 33 Millimetern und 45-Nanometer-Strukturen erzeugt wurden. Die erste Metalllage dieser Dice wurde anschließend im Forschungslabor der IBM Alliance am NanoTech-Institut der Universität Albany (CNSE) vollflächig mit EUV-Lithografie strukturiert. Nach weiteren Bearbeitungsschritten konnten die Versuchsbaulemente erfolgreich getestet werden.
AMD hebt hervor, dass bei bisherigen EUV-Tests nur kleinere Flächen mit der weichen Röntgenstrahlung von 13,5 nm Wellenlänge und den aufwendigen Spiegelmasken bearbeitet wurden. Der nächste Schritt, den die IBM-Alliance-Partner bei der EUV-Lithografie testen wollen, ist die Nutzung der neuen Technik für alle wichtigen Strukturlagen (Critical Layers) von Halbleiterbauelementen. (ciw)
