STMicroelectronics und Hynix bauen Speicherchip-Fabrik in China
In Wuxi City in der chinesischen Provinz Jianjsu sollen DRAM-Chips und NAND-Flash-Bausteine gefertigt werden.
Nach AMD und Fujitsu wollen nun auch STMicroelectronics und der sĂĽdkoreanische Chiphersteller Hynix gemeinsam eine neue Speicherchip-Fabrik in Asien bauen. Standort des Werks, in dem neben DRAM-Chips auch NAND-Flash-Bausteine gefertigt werden sollen, ist allerdings nicht Japan, sondern Wuxi City in der chinesischen Provinz Jiangsu. Das Industriezentrum liegt etwa 130 Kilometer westlich von Shanghai.
Das Investitionsvolumen des Joint Ventures, an dem Hynix mit zwei Dritteln und STMicroelectronics mit einem Drittel beteiligt ist, bezifferten die Unternehmen auf rund 2 Milliarden US-Dollar. Geplant sind zwei Produktionslinien: Eine 8-Zoll-Wafer-Linie, die 2006 die Produktion aufnehmen soll, sowie eine 12-Zoll-Linie, die ein Jahr später startet. Beide Wafer-Linien können nach Unternehmsangaben bei Vollauslastung jeweils 20.000 Wafer pro Monat produzieren. Insgesamt sollen 1500 Mitarbeiter beschäftigt werden. (pmz)
