Hynix kündigt 1-GBit-DRAM für mobile Geräte an
Der südkoreanische Speicherchip-Hersteller will im ersten Quartal mit der Massenproduktion des ersten 1-GBit-DRAM beginnen, der im 66-nm-Prozess gefertigt wird.
Der südkoreanische Speicherchip-Hersteller Hynix hat nach eigenen Angaben den kleinsten 1-GBit-DRAM für mobile Geräte entwickelt. Es sei der erste kommerziell erhältliche DRAM, der auf Basis der 66-Nanometer-Technik hergestellt worden sei, arbeite mit 200 MHZ Taktfrequenz bei einem Durchsatz von 1,6 GByte/s. Damit sei er derzeit der schnellste Speicher seiner Klasse und sorge zudem durch niedrigeren Stromverbrauch für längere Akkulaufzeiten.
Hynix will im ersten Quartal 2008 mit der Massenproduktion beginnen. Das Produkt soll auch als "NAND flash Multi-Chip Package" (NAND MCP) erhältlich sein, das DRAM und NAND-Flash in einem Paket kombiniere. (anw)