Belgisches Forschungszentrum IMEC installiert 2010 zweite EUV-Anlage
Das IMEC will 2010 eine Vorserien-Lithografieanlage von ASML installieren, um Fertigungsverfahren für Chips mit 22-Nanometer-Strukturen zu entwickeln.
Vor etwa einem Jahr hat das Interuniversity MicroElectronics Center (IMEC) in Leuven, Belgien, eine erste Lithografieanlage in Betrieb genommen, die mit einer Extrem-UV-(EUV-)Lichtquelle Abbildungen von 35-Nanometer-Strukturen beherrscht. Nun hat das IMEC mit dem Halbleiterindustrie-Zulieferer ASML eine Vereinbarung getroffen, um ab 2010 ein Vorserien-EUV-Belichtungssystem zu installieren. Diese neue Anlage soll der Entwicklung von Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente mit 22-Nanometer-Strukturen dienen, die die Chipindustrie nach der aktuellen ITRS-Roadmap etwa in den Jahren 2013 bis 2016 einführen will.
Die zurzeit laufende EUV-Foschungsanlage arbeitet mit einer komplizierten Strahlungsquelle von Philips (Vorstellung hier als PDF), bei der eine Zinn-Dampfentladungslampe aus 30 Kilowatt Speiseleistung etwa 115 Watt 13,5-Nanometer-Licht erzeugt. Mit diesem Alpha Design Tool (ADT) arbeiten die IMEC-Kooperationspartner an einem 32-Nanometer-Fertigungsverfahren. Es ist aber noch offen, ob für die 32-nm-Chipgeneration nicht doch eher ein Immersions-Lithografieverfahren mit 193-nm-Laserlicht zum Einsatz kommt – so hält es jedenfalls der finanzkräftige Branchenprimus Intel, um bereits in der zweiten Jahreshälfte 2009 32-nm-Chips in Großserie fertigen zu können. Ursprünglich hatte Intel vor, schon 2009 mit EUV zu belichten; das Unternehmen gehörte lange zu den treibenden Kräften hinter der EUV-Technik. (ciw)
