Elpida kooperiert bei PRAM mit UMC
Der japanische Speicherchiphersteller Elpida und der taiwanische Auftragsfertiger UMC kooperieren bei der Entwicklung von Phasenübergangsspeicherbauelementen.
Nach Samsung, Hynix und Qimonda hat nun auch der weltweit viertgrößte DRAM-Hersteller Elpida bekannt gegeben, dass er Phasenübergangsspeicherchips entwickelt. Dabei kooperiert Elpida mit dem zweitgrößten Chipauftragsfertiger UMC aus Taiwan. Gleichzeitig haben die beiden Partner verkündet, dass UMC eine Lizenz zur Fertigung von DRAM-Zellen für System-on-Chip-(SoC-)Bauelemente von Elpida erhalten hat.
Die meisten der aktuell erfolgversprechenden Ansätze zum Bau von Phase-Change-RAMs (PRAM oder PC-RAM) gehen auf die Erfindungen von Stanford R. Ovshinsky zurück, die die von den ehemaligen Micron-Managern Tyler Lowrey und Ward Parkinson gegründete Firma Ovonyx vermarktet. An Ovonyx ist Intel Capital beteiligt – und gemeinsam mit ST Microelectronics arbeitet auch Intel an PRAM-Chips, die zunächst NOR-Flash-Speicherbauelemente ablösen könnten.
Laut Intel könnten erste (128-MBit-)PRAMs bereits 2007 erscheinen, Samsung hat das kommende Jahr im Visier. IBM ist der Meinung, PRAM könne etwa 2015 Flash-Speicher ablösen. IBM kooperiert bei der PRAM-Entwicklung mit Qimonda und Macronix; im Januar 2007 hatte Ovonyx die Lizenzvergabe an Qimonda gemeldet, Anfang Oktober die Lizenzvergabe an Hynix – und Samsung hat seit Ende 2005 eine PRAM-Lizenz.
Viele PRAM-Konzepte setzen auf die von Ovshinsky bereits vor rund 40 Jahren untersuchten Chalcogenidlegierungen wie Dünnfilme aus Germanium-Antimon-Tellurid (Ge2Sb2Te5). Die langjährige Verfügbarkeit von Germanium wird allerdings von einigen Experten kritisch beurteilt. (ciw)
