PMCm-Chips könnten Flash-Speicher ab 2014 ablösen
Eine internationale Forschergruppe der Arizona State University hat eine nichtflüchtige Speicherzelle entwickelt, die sehr wenig Energie und Platz benötigt und sich in die Standard-CMOS-Fertigungstechnik integrieren lassen soll.
Professor Michael N. Kozicki hat nicht nur einen Lehrstuhl an der Arizona State University inne und leitet das dortige Center for Applied Nanoionics (CANi), sondern führt auch noch die Firma Axon Technologies. Letztere vermarktet die Forschungserbnisse des CANi für einen neuartigen, nichtflüchtigen Speicherzellentyp als Programmable Metallization Cell memory (PMCm).
Im Vergleich zu Flash-Speicherzellen soll die PMCm-Technik weniger Energie zum Einschreiben der Informationen benötigen und weniger Platz pro Bit belegen. PMCm-Zellen nutzen die reversible Veränderung eines elektrischen Widerstands zur Informationsspeicherung. Dabei haben die von Professor Kozicki in den letzten Jahren geführten Forscherteams zunächst auf amorphe, glasartige Elektrolytmaterialien wie Germaniumselenid, Germaniumsulfid (also Chalcogenide) oder Wolframoxid gesetzt, die mit winzigen Mengen von Silber dotiert wurden (PDF-Präsentation). Nun hat das CANi in Kooperation mit dem Forschungszentrum Jülich (Institut für Elektrokeramische Materialien) beziehungsweise der RWTH Aachen (Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik) einen Weg gefunden, PMCm-Zellen mit dem gebräuchlichen Siliziumdioxid als festem Elektrolyten und Kupfer als Dotierungsmaterial zu fertigen.
Eines Tages soll sich die Fertigung der neuartigen Speicherzellen in Standardprozesse zur Herstellung von CMOS-Bauelementen integrieren lassen. Nach der Roadmap von Axon Technologies könnten PMCm-Zellen etwa mit der 22-Nanometer-Fertigungstechnik zum Einsatz kommen, also nach ITRS-Roadmap ungefähr in den Jahren 2014 bis 2016. (ciw)
